インテルは、ソフトバンクの子会社と提携して「ZAM」と呼ばれる画期的なメモリ技術を導入することで、急増するDRAM需要を活用できる戦略的な立場に立っています。この取り組みは、人工知能（AI）インフラストラクチャの普及により、特にハイパースケーラーや半導体メーカーの間でDRAM需要がかつてないほど増加している時期に行われています。
インテルの ZAM メモリモジュールによる電力効率の向上
既存のサプライヤーからの供給不足により、世界のメモリサプライチェーンは深刻な制約に直面しており、市場への新規参入企業の急務となっています。こうした状況の中、インテルはメモリ分野における新たなベンチャーを先導しています。同社はソフトバンクのSaimemoryと提携し、「Z-Angle Memory（ZAM）」と呼ばれる新しい規格の策定に取り組んでいます。
ZAMメモリ技術の初期開発は、米国エネルギー省が開始した先進メモリ技術（AMT）プログラムに端を発しています。このプロセスにおいて、Intelは次世代DRAM向けの最先端のボンディング技術を発表しました。ソフトバンクの発表ではZAMメモリの具体的な位置付けについては深く掘り下げられていませんが、Intelのボンディング戦略に関する知見から、ZAMは従来の垂直方向のドリル加工ではなく、ダイスタック全体にわたる斜め方向の接続を可能にする、スタッガード配線トポロジを採用する可能性が高いことが示唆されています。
標準的なメモリアーキテクチャでは人工知能のニーズを満たすことができません。NGDBは、次の10年への移行を加速させる全く新しいアプローチを定義します。
当社は、コンピュータ システム アーキテクチャを根本的に進化させるために DRAM の構成方法を再考し、桁違いのパフォーマンス向上を実現し、業界標準にイノベーションを取り入れることを目指しています。
– インテルの次世代DRAMボンディングに関する関係者
Z-Angle Memory設計は、メモリセルにシリコンのより大きな面積を活用することで、高密度化と熱抵抗の低減を実現します。この革新的なアプローチには、銅と銅のハイブリッド接合技術が組み込まれる可能性があり、層間の接続効率を向上させ、個別のスタックではなく、実質的に一体化したシリコンブロックを構築できます。さらに、ZAMはコンデンサレス設計となり、IntelのEmbedded Multi-Die Interconnect Bridge（EMIB）を統合することで、メモリとAIプロセッサ間のシームレスな接続を実現します。
ソフトバンクとインテルの今回の提携により、インテルはメモリスタック技術の所有権を獲得し、Izanagiシリーズを含むカスタムASIC（特定用途向け集積回路）の進歩を披露する可能性がある。ZAMと高帯域幅メモリ（HBM）を比較した正確な性能指標はまだ発表されていないが、初期の兆候から、Z-Angle設計は以下のようなメリットをもたらすことが示唆されている。
- 消費電力を40～50%削減
- Z角度インターコネクトによる合理化された製造
- チップあたりのストレージ容量の拡張（最大 512 GB）
これは、DRAM分野におけるインテルの目覚ましい復活を示すものです。このテクノロジー大手は、1985年に日本企業との競争激化により撤退するまで、この市場に参入していました。現在の市場動向とメモリ分野の計り知れない可能性を考えると、インテルのZAM技術がどのように進化し、NVIDIAのような大手企業を含む業界リーダーの間で受け入れられるかどうかは、今後の動向を見守る上で興味深いところです。
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