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TSMC presenta il processo da 2 nm di fascia alta con significativi miglioramenti in termini di prestazioni ed efficienza

TSMC presenta il processo da 2 nm di fascia alta con significativi miglioramenti in termini di prestazioni ed efficienza

TSMC ha annunciato nuovi entusiasmanti aggiornamenti riguardanti la sua innovativa tecnologia “2nm N2”, che evidenzia significativi progressi sia nei tassi di rendimento che nelle metriche delle prestazioni.

Prestazioni trasformative della tecnologia “N2 Nanosheet” di TSMC

L’attesa per il processo a 2 nm di TSMC continua a crescere, poiché questo nuovo nodo è pronto a offrire notevoli miglioramenti in termini di prestazioni ed efficienza energetica. Con la produzione di massa prevista per la seconda metà del 2025, le recenti intuizioni svelate durante la presentazione di TSMC all’IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) di San Francisco hanno fatto luce su come il processo a 2 nm si confronta con i suoi predecessori. I riflettori erano puntati sulla tecnologia all’avanguardia “nanosheet”.

Panoramica sulla tecnologia TSMC
Crediti immagine: TSMC

TSMC ha segnalato che il suo processo a 2 nm offre un impressionante miglioramento del 15% nelle prestazioni, riducendo contemporaneamente il consumo energetico fino al 30%. Questi progressi migliorano significativamente l’efficienza complessiva del nodo. Inoltre, il processo mostra un aumento di 1,15 volte nella densità dei transistor, una pietra miliare attribuita all’incorporazione di transistor nanosheet all-around gate (GAA) e all’architettura N2 NanoFlex, che ottimizza lo spazio per varie celle logiche.

Il passaggio dalla tecnologia FinFET convenzionale all’architettura specializzata N2 “nanosheet” ha concesso a TSMC un maggiore controllo sul flusso di corrente. Questo cambiamento consente ai produttori di adattare i parametri operativi a casi d’uso specifici, grazie all’intricato design dei nanosheet, che consistono in nastri di silicio stretti impilati, ciascuno completamente circondato da un gate. Questo design consente un controllo della corrente molto più preciso rispetto alle implementazioni FinFET.

Caratteristiche della tecnologia TSMC
Crediti immagine: TSMC

Rispetto al processo a 3 nm e alle sue varianti, la tecnologia N2 di TSMC mostra notevoli miglioramenti di capacità. Si prevede che questo progresso sostanziale attirerà i principali attori del settore come Apple e NVIDIA, desiderosi di sfruttare i vantaggi generazionali forniti da questo processo innovativo. Tuttavia, l’introduzione di questi aggiornamenti porterà anche a un aumento significativo dei costi dei wafer, stimati in aumento di oltre il 10% rispetto alla tecnologia a 3 nm.

Secondo quanto riferito, il costo di un wafer N2 potrebbe essere compreso tra $ 25.000 e $ 30.000, riflettendo le strategie di prezzo di TSMC, che rappresentano un notevole aumento rispetto ai circa $ 20.000 per i wafer da 3 nm. Inoltre, considerando i tassi di rendimento iniziali e le prime prove di produzione, è probabile che la produzione complessiva sia inizialmente piuttosto limitata, il che suggerisce un’adozione graduale di questo processo avanzato.

Fonte e immagini

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