TSMC aggirerà la tecnologia EUV ad alta NA per il nodo A14 (1,4 nm), concentrandosi sull’efficienza dei costi rispetto alle prestazioni

A quanto pare, TSMC, il colosso taiwanese dei semiconduttori, non ha fretta di adottare la tecnologia litografica ad alta NA nell’ultravioletto estremo (EUV).Recenti sviluppi indicano che l’azienda intende abbandonare questo approccio all’avanguardia a favore di metodi consolidati per la sua futura produzione di chip A14.

Cambiamento strategico di TSMC: enfatizzare le tecnologie convenzionali rispetto ai veicoli elettrici ad alta velocità (EUV)

Storicamente, TSMC è stata all’avanguardia nei progressi della tecnologia dei semiconduttori, spesso guidando il settore con le sue pratiche innovative. Tuttavia, durante il recente Simposio sulla Nanotecnologia, il Vicepresidente Senior di TSMC, Kevin Zhang, ha annunciato che l’azienda non implementerà la litografia EUV ad alta NA per il processo A14. Si affiderà invece alla tradizionale tecnologia EUV a 0, 33 NA. Questa svolta pone TSMC dietro concorrenti come Intel Foundry, che hanno adottato strumenti di litografia più recenti.

TSMC non utilizzerà la litografia EUV ad alto NA per modellare i chip A14, la cui produzione dovrebbe iniziare nel 2028. Da 2 nanometri ad A14, non dobbiamo usare NA elevato, ma possiamo continuare a mantenere una complessità simile in termini di fasi di elaborazione.

Con ogni generazione di tecnologia, cerchiamo di ridurre al minimo l’aumento del numero di mascherine. Questo è fondamentale per fornire una soluzione economicamente vantaggiosa.

– Kevin Zhang della TSMC

La considerazione principale che ha guidato la decisione di TSMC è il sostanziale aumento dei costi di produzione associati all’adozione della tecnologia EUV ad alta NA. Alcuni studi suggeriscono che l’utilizzo della litografia ad alta NA potrebbe far aumentare i costi fino a 2, 5 volte rispetto ai metodi EUV standard. Un aumento così significativo renderebbe il processo A14 proibitivo e, di conseguenza, ne complicherebbe l’integrazione nei prodotti di consumo.

Macchinari per litografia EUV ad alta NA ASML — Crediti immagine: ASML

A complicare ulteriormente lo scenario c’è la natura del design del chip A14, che richiede più maschere per ogni strato. L’implementazione della litografia ad alto NA aumenterebbe i costi con un ROI limitato; TSMC si sta invece concentrando sull’approccio EUV a 0, 33 NA. Questa strategia consente all’azienda di sfruttare le tecniche multi-patterning, mantenendo la complessità del design e riducendo al contempo i costi di produzione complessivi.

Curiosamente, la riluttanza di TSMC ad adottare la tecnologia EUV ad alto NA la pone in una posizione di svantaggio competitivo. Intel Foundry sarebbe pronta a utilizzare la tecnologia ad alto NA per il suo prossimo processo 18A, il cui debutto è previsto già l’anno prossimo. Questo permette a Intel di ottenere un vantaggio tecnologico su TSMC, che prevede il suo nodo A14P per il 2029, ritardando di fatto l’utilizzo della litografia ad alto NA di almeno quattro anni. Questa scelta strategica potrebbe fornire a Intel e ad altri concorrenti un vantaggio significativo nel mercato dei semiconduttori.

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