Synopsys lancia il “Silicon Bring-Up” dell’IP LPDDR6 sul nodo N2P avanzato di TSMC, ottenendo una larghezza di banda eccezionale di 86 GB/s

Synopsys ha compiuto un passo avanti significativo nella tecnologia delle memorie mobili annunciando il successo dell’implementazione su silicio della sua proprietà intellettuale (IP) LPDDR6 basata sul nodo di processo N2P all’avanguardia di TSMC.

Risultati impressionanti in termini di larghezza di banda con la tecnologia N2P

Per chi non lo sapesse, il “silicon bring-up” rappresenta la fase iniziale di accensione di un nuovo chip, particolarmente rilevante nel contesto di un blocco IP. Questo processo essenziale prevede una serie di test che comprendono la convalida hardware, il sequenziamento dell’alimentazione e altri controlli critici. I recenti progressi di Synopsys evidenziano la sua capacità di sviluppare un blocco IP LPDDR6 licenziabile in grado di raggiungere larghezze di banda straordinarie fino a 86 GB/s, in stretto accordo con le specifiche stabilite dagli standard JEDEC.

Abbiamo completato con successo il “silicon bring-up” della nostra IP LPDDR6 su TSMC N2P, offrendo una larghezza di banda fino a 86 GB/s. Alimentate i sistemi mobile, AI ed edge di nuova generazione con efficienti SDRAM LPDDR.

— Synopsys (@Synopsys) 16 ottobre 2025

Questo sviluppo segna una delle prime integrazioni del processo N2P avanzato di TSMC con un blocco IP LPDDR6. L’architettura di questo IP è composta da due elementi principali: il controller e l’interfaccia PHY. Il controller è responsabile dell’implementazione del motore di protocollo JEDEC e della gestione dei controlli di temporizzazione e degli stati a basso consumo.È importante sottolineare che il processo N2P di TSMC migliora le capacità del PHY, poiché comprende circuiti analogici e di I/O avanzati progettati per ottimizzare le prestazioni.

In particolare, il controller LPDDR6 richiede densità e velocità maggiori per una chiusura temporale efficiente. La tecnologia N2P eccelle in questo ambito, vantando impressionanti parametri di Power-Performance-Area (PPA).Ciò non solo riduce il consumo energetico per bit, ma riduce anche al minimo l’ingombro fisico della memoria, facilitandone l’applicazione nell’intelligenza artificiale integrata nei dispositivi e in altre piattaforme a basso consumo energetico.

Micron DDR5 MRDIMM con etichette 256 GB 8800 MT/s fattore di forma 1U e 128 GB 8800 MT/s visualizzate su uno sfondo LPDDR6.

Analizzando più a fondo le metriche prestazionali, Synopsys rivela che lo stack supporta una notevole larghezza di banda di 86 GB/s, in linea con lo standard JEDEC per pin di circa 10, 667 Gb/s. La velocità massima teorica potrebbe raggiungere circa 14, 4 GB/s per pin, il che equivale a un’impressionante larghezza di banda totale di 115 GB/s. Ciò indica che LPDDR6 rappresenta un significativo salto generazionale rispetto a LPDDR5, grazie agli innovativi miglioramenti della tecnologia N2P di TSMC. Guardando al futuro, LPDDR6 è destinata a diventare una soluzione mainstream nel prossimo anno, promettendo di ridefinire i benchmark di settore per le memorie mobili.

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