Il panorama della memoria ad alta larghezza di banda (HBM) è sull’orlo di una trasformazione significativa con lo sviluppo in corso degli standard HBM5 e HBM6 di nuova generazione, facilitato dagli innovativi TC Bonder.
Hanmi Semiconductor presenta i primi Wide TC Bonder per la tecnologia HBM avanzata
Con NVIDIA e AMD che si preparano a lanciare quest’anno i loro prossimi acceleratori di intelligenza artificiale, che saranno basati sulla memoria HBM4 (come Vera Rubin e la serie Instinct MI450 ), la ricerca e lo sviluppo stanno già procedendo verso le prossime iterazioni, HBM5 e HBM6.
Un recente rapporto dell’agenzia di stampa coreana Heraldcorp indica che il primo Wide TC Bonder progettato per gli standard di memoria di nuova generazione debutterà alla Semiconductor Exhibition del 2026 in Corea. Questa apparecchiatura fungerà da alternativa all’Hybrid Bonder (HB) per la produzione di massa di memorie HBM.
Il Wide TC Bonder si distingue per la sua capacità di migliorare la resa produttiva per vari standard HBM, tra cui HBM4, HBM4E, HBM5 e HBM6. A differenza del suo predecessore, l’Hybrid Bonder, che ha riscontrato alcuni inconvenienti tecnici, il Wide TC Bonder impiega una tecnologia di saldatura di precisione avanzata per garantire qualità e affidabilità superiori durante il processo produttivo.
Una caratteristica particolarmente interessante è la sua capacità di legame senza flusso che riduce al minimo lo strato di ossido sulle superfici dei chip, migliorando così la resistenza del legame e riducendo al contempo lo spessore complessivo dell’HBM.
HBM5: punta all’architettura NVIDIA Feynman con lancio previsto nel 2029
Si prevede che lo standard HBM5 manterrà una velocità di trasmissione dati di 8 Gbps per la sua variante Non-e, aumentando significativamente il numero di corsie di I/O a 4096 bit. Si prevede che la larghezza di banda salirà a 4 TB/s per stack, utilizzando un metodo di stacking 16-Hi. Con l’introduzione di die DRAM da 40 Gb, HBM5 punta a una solida capacità di 80 GB per stack e prevede che il consumo energetico per stack raggiungerà i 100 W.
Le specifiche principali per lo standard di memoria HBM5 includono:
- Velocità dati: 8 Gbps
- Numero di I/O: 4096
- Larghezza di banda totale: 4, 0 TB/s
- Numero di pile di matrici: 16-Hi
- Capacità della matrice: 40 Gb
- Capacità totale HBM: 80 GB
- Potenza per HBM: 100W
- Metodo di confezionamento: Microbump (MR-MUF)
- Soluzioni di raffreddamento: raffreddamento a immersione, via termica (TTV), saldatura termica
- Stack di chip di condensatori di disaccoppiamento dedicati
- Matrice di base HBM personalizzata con NMC-HBM 3D e cache impilata
- LPDDR+CXL nella matrice di base
- Compatibile con le piattaforme NVIDIA Feynman e Instinct MI500
HBM6: un balzo in avanti per l’architettura GPU post-Feynman
Preparando il terreno per prestazioni ancora più elevate, si prevede che HBM6 raddoppierà la larghezza di banda fino a ben 8 TB/s, introducendo al contempo capacità di 48 Gb per die DRAM. Questo standard è anche destinato a rivoluzionare la tecnologia di stacking, superando potenzialmente la tradizionale configurazione a 16 Hi, raggiungendo uno stacking fino a 20 Hi. La capacità di memoria prevista per stack potrebbe aumentare tra 96 e 120 GB, con un consumo energetico dello stack di 120 W. Sia HBM5 che HBM6 sono progettati per integrare soluzioni di raffreddamento a immersione, con HBM6 che esplora architetture HBM (Active/Hybrid) multi-tower, tra le altre funzionalità avanzate.
Gli attributi principali dello standard di memoria HBM6 includeranno probabilmente:
- Velocità dati: 16 Gbps
- Numero di I/O: 4096
- Larghezza di banda totale: 8, 0 TB/s
- Numero di pile di matrici: 16/20-Hi
- Capacità della matrice: 48 Gb
- Capacità totale HBM: 96/120 GB
- Potenza per HBM: 120W
- Metodo di confezionamento: saldatura diretta Cu-Cu senza urti
- Soluzioni di raffreddamento: raffreddamento a immersione
- HBM multi-torre personalizzati con interpositori attivi/ibridi
- Switch di rete integrato + die bridge
Poiché l’HBM4 è destinato a entrare presto in produzione di massa, lo slancio per HBM5 e HBM6 garantirà che questi standard di memoria di nuova generazione non solo soddisfino ma superino le aspettative con velocità migliorate e progressi tecnologici all’avanguardia rispetto all’HBM4, annunciando una nuova era di prestazioni nella tecnologia delle memorie.
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