SK hynix è pronta a rivoluzionare la velocità di elaborazione dei dati impilando fino a 16 strati di chip DRAM e NAND, utilizzando una tecnologia innovativa nota come Vertical Wire Fan-Out (VFO).Questo progresso è fondamentale per migliorare le prestazioni di vari dispositivi elettronici.
VFO migliora l’efficienza della trasmissione dei dati
Come riportato da ETNews, il successo dell’High Bandwidth Storage (HBS) dipende in larga misura dal metodo di packaging VFO. Introdotta nel 2023 da We Hynix, questa tecnologia collega stack di chip DRAM e NAND in una configurazione rettilinea anziché utilizzare il tradizionale wire bonding curvo. Questa configurazione riduce al minimo le perdite di trasmissione dei dati e ne migliora l’efficienza, aspetto particolarmente rilevante ora che l’intelligenza artificiale generativa sta diventando sempre più diffusa in smartphone e tablet.
I vantaggi del VFO sono notevoli. Riducendo significativamente le distanze di cablaggio e minimizzando perdite e ritardi nella trasmissione del segnale, il VFO facilita un maggior numero di connessioni I/O. Questa combinazione di miglioramenti porta a un aumento significativo delle prestazioni di elaborazione dei dati. HBS è progettato per funzionare perfettamente con i chipset degli smartphone, che saranno integrati nella scheda logica del dispositivo. Sebbene i dettagli sui System-on-Chip (SoC) supportati rimangano scarsi, si prevede che lo Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro supporti sia le tecnologie LPDDR6 che UFS 5.0, il che lo rende un ottimo candidato per HBS.
Implicazioni sui costi dell’archiviazione ad alta larghezza di banda per i produttori
Uno dei vantaggi più significativi dell’HBS è il suo costo di produzione ridotto rispetto all’High Bandwidth Memory (HBM).A differenza dell’HBM, che richiede la tecnologia Through Silicon Via (TSV), che prevede la penetrazione fisica del chip, l’HBS aggira questa necessità. Di conseguenza, ciò si traduce in una maggiore resa produttiva e in una riduzione dei costi complessivi, il che probabilmente attirerà i produttori che desiderano implementare questa soluzione di storage.
Al contrario, Apple starebbe pianificando di utilizzare HBM e TSV per i suoi prossimi dispositivi, con l’obiettivo di abilitare funzionalità di intelligenza artificiale più robuste localmente sull’iPhone. In questo contesto, non sorprende che Apple stia già valutando HBS come potenziale opzione di archiviazione per i modelli futuri.
Per ulteriori dettagli, consultare il rapporto di ETNews.
Per maggiori informazioni e immagini, consultare la fonte Wccftech.
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