SK Hynix presenta i chip DDR5 ad alta velocità con velocità native fino a 7200 MT/s
SK Hynix ha recentemente fatto notizia nel mercato delle memorie presentando una gamma di nuovi chip DDR5 in grado di raggiungere l’impressionante velocità nativa di 7200 MT/s. Questi sviluppi sono stati segnalati su diverse piattaforme di e-commerce, a indicare che i chip potrebbero essere presto disponibili per l’acquisto.
Esaminando questi moduli DDR5, è possibile individuare nuovi codici prodotto, attualmente non disponibili sul mercato. Ciò suggerisce che We Hynix si sta preparando per un lancio di prodotto importante.




| Numero di parte | IL | Velocità | Densità |
|---|---|---|---|
| H5CG48CKBD-X030 | C-die | 7200 MT/s | 2 GB |
| H5CGD8AKBD-X021 | A-die | 7200 MT/s | 3 GB |
| H5CG58MKBD-X051 | M-die | 7200 MT/s | 4GB |
| H5CC48BKBD-X030 | B-il | 7200 MT/s | 2 GB |
In particolare, We Hynix ha lanciato un nuovo modello B-die da 2 Gb, insieme a un M-die aggiornato con capacità di 4 Gb. L’introduzione di un M-die da 4 Gb è degna di nota in quanto è il primo esempio di questo particolare nodo di processo a presentare tale densità. Sebbene 4 Gb possano essere inferiori rispetto ai più comuni die da 16 Gb o 24 Gb tipicamente presenti nei moduli DDR5 ad alta capacità, questi componenti sono probabilmente progettati per configurazioni DDR5 ad alta velocità e bassa densità.

È fondamentale notare che, affinché questi moduli RAM DDR5 ad alte prestazioni raggiungano e mantengano tali velocità, soprattutto in caso di overclocking, richiederanno un circuito stampato (PCB) da almeno 10 o 12 strati. Sebbene We Hynix non abbia ancora annunciato formalmente il lancio sul mercato di questi chip di memoria da 7200 MT/s, i risultati preliminari confermano che l’azienda è pronta a compiere passi da gigante nel panorama delle memorie DDR5.
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