SK Hynix presenta i chip di memoria DDR5 “A-Die” da 3 Gb di seconda generazione con AKBD Bin che indica una velocità nativa di 7200 MT/s

Scoperta su Facebook la seconda generazione di memoria A-Die da 3 GB; potrebbe raggiungere una velocità nativa JEDEC di 7200 MT/s

Una recente scoperta su Facebook ha svelato la seconda generazione di chip di memoria A-Die da 3 Gb, identificati dall’etichetta X021 e dal codice componente “AKBD”.Secondo quanto condiviso da @unikoshardware, questa nuova designazione indica la successione all’attuale variante M-Die da 3 Gb, che è stata un punto fermo nei primi moduli di memoria DDR5.

SK Hynix adotta una convenzione di denominazione sistematica, in cui combinazioni come EB, GB e HB corrispondono rispettivamente alle velocità JEDEC di 4800, 5600 e 6400 MT/s. Seguendo questa logica, l’introduzione della designazione “KB” suggerisce una velocità prevista di 7200 MT/s per la prossima memoria, evidenziando i progressi nella tecnologia DDR5.

Chip di memoria SK Hynix H5CG08KBD posizionato sopra una tastiera. — Credito immagine: Facebook

Questo sviluppo è in linea con la roadmap strategica di Intel, poiché sia i processori Arrow Lake Refresh che Panther Lake sono progettati per supportare velocità DDR5 fino a 7200 MT/s, segnando un notevole miglioramento rispetto agli attuali standard DDR5-5600 di Raptor Lake e DDR5-6400 di Arrow Lake. Questo indica che i chip A-Die potrebbero potenzialmente diventare la spina dorsale dei kit di memoria ad alte prestazioni progettati per le CPU Intel di prossima generazione.

Tuttavia, un utente ha sollevato un punto cruciale riguardo alla costruzione del modulo. Il presunto design del PCB a 8 strati potrebbe influire sulla stabilità durante il funzionamento a velocità di memoria elevate. Sebbene questi campioni iniziali di We Hynix mostrino i nuovi circuiti integrati A-Die, i PCB a 8 strati in genere incontrano difficoltà nel mantenere la stabilità oltre gli 8000 MT/s, principalmente a causa di vincoli nell’integrità del segnale e nell’erogazione di potenza.

Al contrario, i kit RAM DDR5 ad alte prestazioni utilizzano spesso PCB a 10 o addirittura 12 strati, che forniscono percorsi di segnale più chiari, essenziali per raggiungere velocità di memoria più elevate. Gli appassionati hanno già dimostrato la capacità di superare la soglia di 12.000 MT/s, con alcuni che di recente hanno addirittura superato ufficialmente i 13.000 MT/s. Affinché i nuovi chip A-Die “AKBD” di We Hynix possano esprimere appieno il loro potenziale, i produttori potrebbero dover implementare queste tecnologie PCB avanzate.

Specifica	Dettagli
Tipo di matrice	SK Hynix 3Gb A-Die (2a generazione)
Marcatura	X021
Codice parte	AKBD
Velocità nativa (ipotizzata)	7200 MT/s (JEDEC)
Compatibilità della piattaforma	Arrow Lake Refresh, Panther Lake