Samsung pronta ad avviare la produzione di massa della memoria HBM4 di nuova generazione nel 2026: include GDDR7 da 24 GB e DDR5 da 128 GB+

Samsung pronta ad avviare la produzione di massa della memoria HBM4 di nuova generazione nel 2026: include GDDR7 da 24 GB e DDR5 da 128 GB+

Gli ambiziosi piani di Samsung per la produzione di memorie di prossima generazione nel 2026

Samsung si sta preparando a compiere progressi significativi nella tecnologia delle memorie, con l’obiettivo di avviare la produzione della memoria ad alta larghezza di banda (HBM4) di nuova generazione, insieme ai prodotti GDDR7 DRAM da 24 Gb e 128 GB+ previsti per il 2026.

Risultati finanziari recenti

Nel suo rapporto sugli utili del terzo trimestre 2025, Samsung ha registrato un notevole aumento del fatturato del 15, 4%, raggiungendo quota 86, 1 trilioni di KRW. Queste cifre record sono state trainate principalmente dall’impennata della domanda di memorie HBM3E e SSD per server, che ha spinto l’azienda in particolare grazie al crescente slancio dell’intelligenza artificiale.

Punti salienti finanziari di Samsung nel terzo trimestre del 2025
Punti salienti finanziari di Samsung per il terzo trimestre del 2025

Introduzione di HBM4 di nuova generazione e del processo a 2 nm

Di recente, Samsung ha presentato la sua soluzione di memoria HBM4 avanzata, con velocità fino a 11 Gbps per circuito integrato (IC).Questa tipologia di memoria si posiziona come un’opzione formidabile per i prossimi acceleratori AI di giganti del settore come NVIDIA e AMD, in particolare le serie Rubin e MI400. Secondo quanto riferito, campioni di questa memoria HBM4 all’avanguardia sono in fase di valutazione da parte dei produttori di chip AI per test e qualificazione.

Insieme all’HBM4, Samsung si impegna a garantire una fornitura costante del suo processo Gate-All-Around (GAA) a 2 nm e del die base HBM4 entro il 2026. La tecnologia a 2 nm è destinata a potenziare la produzione dei System on Chip (SoC) Exynos e Qualcomm Snapdragon di prossima generazione, con un incremento previsto in questo trimestre.

Nel quarto trimestre del 2025, l’azienda risponderà attivamente alla domanda di server AI e convenzionali con HBM3E, eSSD ad alta densità e altre offerte di memoria all’avanguardia. Inoltre, continuerà a espandere le vendite di prodotti di memoria per server ad alto valore aggiunto leader del settore, come DDR5 da 128 GB e superiori, nonché GDDR7 da 24 GB.

Nel 2026, il settore Memorie si concentrerà sulla produzione in serie di prodotti HBM4 con prestazioni differenziate, puntando al contempo ad ampliare la base di vendita HBM. In particolare, si prevede un aumento della domanda di HBM4 e l’azienda prevede di rispondere in modo proattivo con un’espansione della capacità produttiva nel 2026. Si concentrerà inoltre sull’espansione delle vendite di altri prodotti ad alto valore aggiunto, come DDR5, LPDDR5x e SSD QLC ad alta densità, per soddisfare la domanda di applicazioni di intelligenza artificiale.

Nel quarto trimestre del 2025, l’azienda punterà a un continuo miglioramento degli utili incrementando la produzione di massa di prodotti Gate-All-Around (GAA) da 2 nm, aumentando l’utilizzo della fabbrica e ottimizzando i costi.

Nel 2026, la Foundry Business si concentrerà sulla fornitura stabile di nuovi prodotti GAA da 2 nm e della matrice base HBM4, nonché sull’avvio tempestivo delle operazioni presso lo stabilimento aziendale di Taylor, in Texas.

tramite Samsung Newsroom

Impatti futuri sui prodotti e tendenze del mercato

Samsung ha individuato i ruoli critici che la memoria DDR5 da 128 GB+ e la DRAM GDDR7 da 24 GB svolgeranno nel 2026. Si prevede che il lancio previsto di nuove piattaforme server da parte di AMD e Intel nella seconda metà del 2026 aumenterà significativamente l’attività di mercato.

Samsung si prepara alla produzione della memoria HBM4 di prossima generazione
I preparativi di Samsung per la produzione di massa della memoria di nuova generazione nel 2026

Si prevede che la domanda di GDDR7 rimarrà solida, soprattutto tra i consumatori di fascia alta e gli sviluppatori di schede grafiche AI. La GPU Rubin CPX recentemente presentata da NVIDIA è una candidata ideale per questa memoria, che potrebbe anche soddisfare i futuri prodotti come la serie NVIDIA RTX 50 “SUPER” e i potenziali aggiornamenti di AMD Radeon “RDNA 5” o “RDNA 4”.I die DRAM da 24 GB non solo aumenteranno la capacità di VRAM, ma colmeranno anche le lacune nei segmenti mainstream.

Tuttavia, una sfida urgente che il mercato delle DRAM e degli SSD si trova ad affrontare è l’eccessiva attenzione rivolta all’intelligenza artificiale, che si traduce in un aumento dei prezzi per i prodotti destinati ai consumatori. Recenti report indicano aumenti significativi nei prezzi delle memorie DDR5 e degli SSD, a fronte di una crescente carenza di prodotti, sollevando preoccupazioni sia per i consumatori che per i produttori. Diversi importanti produttori di DRAM hanno già comunicato i prossimi aumenti dei prezzi per le memorie DDR5 e DDR4, il che richiede un’ulteriore analisi degli sviluppi del mercato nei prossimi mesi.

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