Samsung introduce la tecnologia “Heat Pass Block” nell’Exynos 2600 per un trasferimento termico migliorato, prevenzione del surriscaldamento e maggiore efficienza

Samsung introduce la tecnologia “Heat Pass Block” nell’Exynos 2600 per un trasferimento termico migliorato, prevenzione del surriscaldamento e maggiore efficienza

Il prossimo Exynos 2600, attualmente in fase di produzione di prototipi, è destinato a segnare un significativo progresso in termini di prestazioni ed efficienza per il system-on-chip (SoC) di punta di Samsung. Utilizzando un processo Gate-All-Around (GAA) all’avanguardia da 2 nm, l’Exynos 2600 mira a migliorare le capacità di elaborazione. Tuttavia, le precedenti versioni della serie Exynos hanno avuto problemi di gestione termica, riscontrando spesso problemi di surriscaldamento nonostante l’integrazione della tecnologia a camera di vapore negli smartphone. Per contrastare questo problema, Samsung prevede di integrare una soluzione innovativa nota come “Heat Pass Block” (HPB) per ottimizzare la dissipazione del calore, garantendo così al SoC prestazioni ottimali.

Come HPB migliora la regolazione termica per Exynos 2600

Tradizionalmente, i chipset Exynos di Samsung presentavano la DRAM posizionata direttamente sopra il SoC. Recenti report di ETNews indicano che il design dell’Exynos 2600 evolverà, posizionando l’HPB e la DRAM direttamente sul chip stesso. Questa posizione strategica consente all’HPB di funzionare efficacemente come dissipatore di calore, migliorando significativamente il trasferimento di calore. Inoltre, si prevede che Samsung adotterà il Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) in questa nuova architettura, che ha debuttato inizialmente con l’Exynos 2400. Si prevede che questo miglioramento rafforzerà la resistenza al calore e migliorerà le prestazioni di elaborazione multi-core.

Come misura proattiva contro concorrenti come lo Snapdragon 8 Elite Gen 2 e il Dimensity 9500, Samsung mira a garantire che l’Exynos 2600 rimanga competitivo. Una recente indiscrezione di Geekbench 6 ha rivelato che l’Exynos 2600 avrà una frequenza di picco di 3, 55 GHz, attualmente inferiore a quella del Cortex-X925 del Dimensity 9400+.

Si prevede che la doppia integrazione di HPB e FOWLP consentirà all’Exynos 2600 di raggiungere frequenze operative più elevate. Questo è fondamentale per migliorare le prestazioni sia single-core che multi-core, gestendo al contempo efficacemente le temperature. Come sappiamo, il calore eccessivo può compromettere le prestazioni, causando non solo disagio agli utenti, ma anche potenziali problemi di affaticamento della batteria e problemi di sicurezza, incluso il rischio di guasto della stessa.

Se il processo produttivo a 2 nm di Samsung raggiungerà tassi di rendimento favorevoli, potremmo assistere alla presentazione ufficiale dell’Exynos 2600 entro la fine dell’anno. Questa tempistica coinciderebbe perfettamente con l’annuncio della famiglia Galaxy S26, previsto per l’inizio del 2026.

Per ulteriori dettagli, fare riferimento al rapporto originale di ETNews.

Per immagini e ulteriori approfondimenti, visita Wccftech.

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