Samsung Electronics punta a entrare nel mercato emergente delle DRAM 3D presentando tecnologie all’avanguardia che guideranno il progresso del mercato in futuro.
Samsung è all’avanguardia nella tecnologia DRAM 3D, pronta a lanciare soluzioni entro la fine del decennio
Nonostante un periodo di relativa calma nel settore delle DRAM, le aziende si trovavano ancora ad affrontare le sfide di una situazione finanziaria tesa a causa delle scorte elevate e della bassa domanda dei consumatori negli ultimi trimestri.
Ora che la situazione è migliorata, gli sforzi si sono spostati verso la ricerca e lo sviluppo di prossima generazione. Samsung ha annunciato la propria implementazione della DRAM 3D, che dovrebbe essere implementata entro il prossimo anno.
Dopo aver esaminato le diapositive della presentazione, è evidente che l’industria delle DRAM sta passando a linee di compressione inferiori a 10 nm. Per superare la stagnazione nello sviluppo di tecnologie DRAM avanzate, Samsung intende implementare due nuove tecniche, i transistor a canale verticale e la DRAM impilata, che comportano variazioni nel posizionamento dei componenti. Questi metodi innovativi portano infine a un ridotto utilizzo dell’area del dispositivo e, di conseguenza, a prestazioni migliori.
In modo simile, Samsung intende migliorare la capacità di memoria utilizzando il concetto di DRAM impilata. Questo approccio consente all’azienda di ottenere un rapporto spazio di archiviazione più elevato, aumentando potenzialmente la capacità dei chip fino a 100 GB in futuro. Si prevede che il mercato delle DRAM 3D potrebbe raggiungere i 100 miliardi di dollari entro il 2028. I primi sviluppi di Samsung suggeriscono che l’azienda coreana potrebbe assumere un ruolo guida nel settore delle DRAM in futuro, anche se è ancora troppo presto per fare una tale previsione.
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