Roadmap 2029-2031 di SK hynix: innovazioni HBM5/HBM5E, GDDR7 Next-Gen, DDR6 e oltre 400 Layer 4D NAND

SK hynix ha presentato un’ambiziosa roadmap tecnologica che si estende oltre il 2029, con progressi in HBM5, GDDR7-next, DDR6 e rivoluzionarie soluzioni Layer 4D NAND da oltre 400.

Roadmap di SK Hynix per DRAM e NAND di prossima generazione: sviluppi chiave per il periodo 2029-2031

Anteprima del We AI Summit 2025 – Roadmap per DRAM e NAND (2026-2028)

Nel periodo che precede il 2026-2028, We Hynix è pronta a introdurre HBM4 con configurazioni da 16-Hi e HBM4E nelle varianti da 8/12/16-Hi, insieme a una soluzione HBM personalizzata. Questa iniziativa mira a migliorare significativamente le prestazioni della memoria.

La roadmap di SK Hynix posiziona HBM5/HBM5E, GDDR7-Next, DDR6 e oltre 400 Layer 4D NAND nel 2029-2031

L’innovativa soluzione HBM personalizzata rialloca il controller HBM sul die base, ottimizzando l’integrazione di vari componenti IP come i protocolli. Questa mossa strategica consente ai produttori di GPU e ASIC di aumentare l’area di silicio disponibile per l’elaborazione. Inoltre, si prevede che questo design personalizzato ridurrà il consumo energetico dell’interfaccia, migliorando l’efficienza. In collaborazione con TSMC, We Hynix sta compiendo progressi verso questa soluzione HBM di livello superiore.

Sviluppi NAND e direzioni future

Sul fronte NAND, We Hynix sta introducendo soluzioni standard come PCIe Gen5 eSSD, che vanta capacità superiori a 245 TB+ utilizzando la tecnologia QLC, insieme a PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0 e soluzioni NAND “AI-N” potenziate dall’intelligenza artificiale.

Aspettative future per le tecnologie grafiche e di memoria

L’imminente GDDR7-next indica un divario nell’avanzamento delle schede grafiche dedicate. Il lancio iniziale della GDDR7 sarà limitato a 30-32 Gbps, raggiungendo un massimo di 48 Gbps. Dato il potenziale previsto di questo standard, un utilizzo diffuso alla massima capacità potrebbe non concretizzarsi prima del 2027-2028 circa.

Inoltre, l’introduzione programmata di DDR6 tra il 2029 e il 2031 suggerisce che gli utenti di PC desktop e laptop convenzionali non dovrebbero aspettarsi miglioramenti oltre DDR5 per diversi anni.

Presentazione delle soluzioni AI-N SSD allo SK AI Summit 2025.

Panoramica dei moduli di memoria allo SK AI Summit 2025, che illustra i nuovi sviluppi.

La tecnologia High-Bandwidth Flash è pronta a soddisfare le crescenti esigenze di inferenza dell’intelligenza artificiale per la prossima generazione di tecnologie informatiche personali e sarà interessante osservarne le applicazioni pratiche e l’efficacia in scenari reali.

Gamma di memorie AI Full Stack

– Le attuali soluzioni di memoria danno priorità all’elaborazione, ma il futuro si sta spostando verso la diversificazione del ruolo della memoria per migliorare l’utilizzo delle risorse di elaborazione e risolvere i colli di bottiglia dell’inferenza dell’intelligenza artificiale.

– Con la crescita del mercato dell’intelligenza artificiale orientata all’efficienza e all’ottimizzazione, l’evoluzione di HBM in prodotti personalizzati soddisferà le esigenze specifiche dei clienti, massimizzando così le prestazioni di GPU e ASIC e riducendo al contempo il consumo energetico per il trasferimento dei dati.

– Lo sviluppo della DRAM “AI-D” dimostra l’impegno a migliorare sia la compatibilità che le prestazioni. Ciò include:

“AI-D O (Optimization)” – Una DRAM a basso consumo e ad alte prestazioni, volta a ridurre i costi totali di proprietà e a migliorare l’efficienza operativa.

“AI-D B (Breakthrough)” – Una soluzione che offre memoria ad altissima capacità con capacità di allocazione versatili.

“AI-D E (Expansion)” – Estensione delle applicazioni DRAM nei settori della robotica, della mobilità e dell’automazione industriale.

Anche se ci vorranno ancora alcuni anni per vedere queste innovazioni, i progressi imminenti promettono di rivoluzionare il panorama tecnologico, rendendo l’attesa comprensibile.

Fonte della notizia: Harukaze5719

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