Micron Technology è ancora una volta all’avanguardia nelle innovazioni della memoria, collaborando con NVIDIA per fornire soluzioni di memoria avanzate su misura per l’elaborazione ad alte prestazioni. In particolare, questi prodotti miglioreranno chip come HGX B300 NVL16 e GB300 NVL72, segnando un significativo progresso nella tecnologia della memoria.
Soluzioni di memoria all’avanguardia di Micron: introduzione della memoria 12H HBM3E e SOCAMM per il miglioramento delle prestazioni dell’intelligenza artificiale
Tra le release fondamentali c’è la LPDDR5X SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) di Micron, progettata specificamente per il GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip di NVIDIA. A complemento, il chip di memoria 12H HBM3E da 36 GB di Micron alimenterà le piattaforme HGX B300 NVL16 e GB300 NVL72 di NVIDIA, aumentandone significativamente l’efficienza.
Questi chip Blackwell appena svelati da NVIDIA, presentati al recente evento GTC, sfruttano i formidabili chip HBM3E 8-High 24 GB di Micron per i loro modelli HGX B200 e GB200 NVL72. La nuova configurazione di memoria HBM3E 12-High impila verticalmente 12 die DRAM, consentendole di offrire un’impressionante capacità di memoria di 12 GB in più rispetto alla sua controparte 8-High. Tali miglioramenti sono cruciali per le operazioni AI ad alta intensità di memoria, consentendo alle GPU di gestire carichi di lavoro sostanziali con un aumento della memoria del 50%, consentendo in definitiva di elaborare interi modelli AI come Llama 405B di Meta su una singola GPU.
Inoltre, la memoria 12H HBM3E non solo offre capacità aggiuntiva, ma anche una larghezza di banda migliorata, consumando il 20% di energia in meno. Questa efficienza è particolarmente vantaggiosa per le operazioni dei data center, dove sia le prestazioni che il risparmio energetico svolgono ruoli critici.
Il SOCAMM basato su LPDDR5X si distingue come una scelta eccellente per l’elaborazione ad alte prestazioni (HPC).Con le sue dimensioni compatte di soli 14×90 mm, occupa solo un terzo dello spazio richiesto dai tradizionali RDIMM e può supportare fino a 128 GB per modulo tramite stack da 16 die di memoria LPDDR5X. Il suo design non solo ottimizza lo spazio, ma offre anche più di 2, 5 volte la larghezza di banda, esibendo al contempo un’efficienza energetica significativamente maggiore rispetto ai RDIMM standard.
Attualmente, Micron vanta un portafoglio robusto, che include memoria GDDR7 per le GPU della serie Blackwell RTX 50 di NVIDIA, RDIMM DDR5 ad alta capacità e MRDIMM, insieme alle tecnologie HBM3E e SOCAMM. Inoltre, le soluzioni di storage all’avanguardia di Micron, come gli SSD Micron 9550 NVMe e 7450 NVMe, rafforzano ulteriormente la loro leadership nella tecnologia di memoria e storage. Nel frattempo, la concorrenza include l’ammiraglia 9100 PRO SSD di Samsung lanciata di recente, che utilizza lo standard PCI-E 5.0 per raggiungere velocità di lettura sequenziali sbalorditive fino a 14.800 MB/s.
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