Micron presenta i moduli HBM4 da 11 Gbps più veloci e discute della collaborazione con TSMC per la memoria HBM4E e GDDR7 oltre i 40 Gbps

Micron Technology ha annunciato di recente un importante progresso nel mercato delle memorie, con la distribuzione della DRAM High Bandwidth Memory (HBM4) da 11 Gbps più veloce di sempre e la presentazione dettagliata della partnership con TSMC per lo sviluppo della HBM4E di prossima generazione.

Tecnologia HBM4 leader del settore e nuove partnership

Durante l’ultima conference call sui risultati del quarto trimestre e dell’anno fiscale 2025, Micron ha presentato importanti aggiornamenti sui segmenti DRAM e NAND Flash. L’azienda ha riportato risultati finanziari impressionanti, raggiungendo un fatturato di 11, 32 miliardi di dollari nel trimestre, in notevole aumento rispetto ai 9, 30 miliardi di dollari del trimestre precedente. Inoltre, il fatturato totale dell’anno fiscale è salito da 25, 11 miliardi di dollari a ben 37, 38 miliardi di dollari. Nell’ottica di migliorare ulteriormente le proprie prestazioni, l’azienda si sta concentrando su soluzioni di memoria di nuova generazione.

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Presentazione di Micron sulle strategie per l'anno fiscale 2026 — Strategie e dettagli di Micron su DRAM/NAND per l’anno fiscale 2026.

Parlando dello sviluppo di HBM4, Micron ha affermato che la sua soluzione DRAM HBM4 a 12 Hi è ben posizionata per soddisfare le crescenti esigenze prestazionali del settore. L’azienda ha spedito con successo i primi campioni della sua HBM4 ad alte prestazioni, che vanta velocità di pin superiori a 11 Gbps e una notevole larghezza di banda di 2, 8 TB/s. Micron afferma che la sua memoria HBM4 sarà leader di mercato sia in termini di prestazioni che di efficienza, superando tutti i concorrenti.

Siamo lieti di notare che la nostra quota di mercato HBM è sulla buona strada per crescere nuovamente e allinearsi alla nostra quota complessiva di DRAM in questo terzo trimestre, raggiungendo l’obiettivo che avevamo discusso per diversi trimestri. L’HBM4 12-hi di Micron Technology rimane sulla buona strada per supportare l’evoluzione delle piattaforme dei clienti, nonostante l’aumento dei requisiti prestazionali per la larghezza di banda e la velocità dei pin dell’HBM4.

Abbiamo recentemente spedito ai clienti campioni del nostro HBM4 con una larghezza di banda leader del settore superiore a 2, 8 TB/s e velocità di pin superiori a 11 Gbps. Riteniamo che l’HBM4 di Micron Technology superi tutti i prodotti HBM4 della concorrenza, offrendo prestazioni leader del settore e la migliore efficienza energetica della categoria. La nostra comprovata DRAM da 1 gamma, il design HBM4 innovativo ed efficiente dal punto di vista energetico, il die di base CMOS avanzato interno e le innovazioni avanzate nel packaging sono i principali fattori di differenziazione che rendono questo prodotto leader della categoria.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO di Micron

Oltre alla memoria HBM4, Micron ha anche presentato la prossima memoria HBM4E. Questa nuova variante sarà realizzata in collaborazione con TSMC per la produzione del die logico di base, a differenza della HBM4, sviluppata interamente internamente. Sono in fase di sviluppo varianti standard e personalizzate della HBM4E, il cui lancio è previsto per il 2027.

Per HBM4E, Micron Technology offrirà prodotti standard e opzioni di personalizzazione per il die logico di base. Collaboriamo con TSMC per la produzione del die logico di base HBM4E sia per prodotti standard che personalizzati. La personalizzazione richiede una stretta collaborazione con i clienti e prevediamo che HBM4E con die logici di base personalizzati offrirà margini lordi più elevati rispetto a HBM4E standard. La nostra base clienti HBM si è ampliata e ora include sei clienti.

Abbiamo accordi sui prezzi con quasi tutti i clienti per la stragrande maggioranza della nostra fornitura di HBM3E nel calendario 2026. Siamo in trattative attive con i clienti sulle specifiche e sui volumi di HBM4 e prevediamo di concludere accordi per esaurire la restante parte della nostra fornitura totale di HBM nel calendario 2026 nei prossimi mesi.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO di Micron

Dettagli sulla memoria Micron GDDR7 — Memoria GDDR7 di Micron caratterizzata da velocità e prestazioni di gioco migliorate.

Micron ha inoltre sottolineato la sua collaborazione con NVIDIA per l’introduzione della memoria LPDDR nei data center, posizionandosi come fornitore esclusivo di questo tipo di memoria. L’azienda ha inoltre annunciato progressi nella memoria GDDR7, pensata sia per applicazioni AI che client, prevedendo velocità superiori a 40 Gbps nei modelli futuri. Attualmente, NVIDIA è l’unico produttore di GPU a utilizzare la tecnologia GDDR7, con un lancio iniziale a velocità di pin di 32 Gbps.

In stretta collaborazione con NVIDIA, Micron è stata pioniera nell’adozione della LPDRAM per i server e, dal lancio della LPDRAM da parte di NVIDIA nella sua famiglia di prodotti GB, Micron è diventata l’unico fornitore di LPDRAM per i data center. Oltre alla leadership in HBM e LP5, Micron è ben posizionata anche con i suoi prodotti GDDR7, progettati per offrire prestazioni ultraveloci con velocità dei pin superiori a 40 Gbps, insieme alla migliore efficienza energetica della categoria per soddisfare le esigenze di alcuni futuri sistemi di intelligenza artificiale.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO di Micron

Infine, sono in corso interessanti sviluppi per quanto riguarda il nodo DRAM 1γ di Micron, che raggiunge rese mature significativamente più rapide rispetto alle generazioni precedenti, circa il 50% in più. L’azienda sta inoltre procedendo positivamente con la produzione di NAND G9, affermando la propria leadership con l’introduzione di SSD PCIe Gen6 nei data center e promettendo soluzioni più innovative basate su DRAM 1γ da 16 Gb.

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