Micron lancia il primo nodo DRAM 1γ, con l’obiettivo di migliorare le prestazioni DDR5

Micron Technology ha fatto notizia con il lancio della sua rivoluzionaria memoria DDR5 di sesta generazione basata sul nodo DRAM di classe 10nm. Questo sviluppo posiziona Micron all’avanguardia nei mercati industriali e consumer.

Efficienza e prestazioni migliorate grazie alla DRAM di sesta generazione di Micron

Comunicato stampa : In un entusiasmante annuncio, Micron Technology, Inc.ha rivelato di essere diventata la prima azienda del settore a iniziare a spedire campioni della sua memoria DDR5 di sesta generazione 1γ (1-gamma).Questa DRAM di nuova generazione è pensata per CPU avanzate e verrà inizialmente distribuita a clienti selezionati e partner dell’ecosistema. Basandosi sui suoi precedenti progressi con i nodi 1α (1-alpha) e 1β (1-beta), Micron è pronta a potenziare la prossima ondata di elaborazione, che spazia dall’infrastruttura cloud alle applicazioni industriali, nonché ai dispositivi consumer e alle tecnologie Edge AI come smartphone e veicoli intelligenti.

L’implementazione iniziale del nodo DRAM Micron 1γ sfrutterà la DRAM DDR5 da 16 Gb, estendendone gradualmente l’integrazione in tutto il portafoglio di memoria Micron. Questa mossa strategica risponde alla crescente necessità del settore di soluzioni di memoria ad alte prestazioni ed efficienza energetica, in particolare nelle applicazioni AI. Questo prodotto DDR5 da 16 Gb vanta impressionanti capacità di velocità fino a 9200 MT/s, segnando un notevole aumento del 15% della velocità e una riduzione di oltre il 20% del consumo energetico rispetto al suo predecessore.

Perché il nodo DRAM 1γ di Micron è significativo

La domanda di soluzioni di memoria avanzate è aumentata parallelamente all’ascesa dell’intelligenza artificiale nei data center e nell’edge della rete. Il passaggio di Micron al nodo DRAM 1γ affronta diverse sfide critiche affrontate dai suoi clienti:

Prestazioni migliorate: la DRAM basata su Micron 1γ migliora le prestazioni, consentendo maggiori capacità di elaborazione su diversi prodotti di memoria, fondamentali per i futuri carichi di lavoro di intelligenza artificiale.
Risparmio energetico: grazie alla tecnologia CMOS con gate metallico ad alto K di nuova generazione e ai miglioramenti progettuali, il nodo 1γ consente di ridurre di oltre il 20% il consumo energetico, con conseguente miglioramento della gestione termica.
Maggiore densità di bit: utilizzando la litografia EUV e innovativi miglioramenti del design, il nodo 1γ ottiene un aumento di oltre il 30% nell’output di bit per wafer rispetto alla generazione precedente, facilitando un ridimensionamento efficiente dell’offerta di memoria.

Micron ha sfruttato la sua vasta competenza nella tecnologia DRAM su più generazioni per sviluppare il nodo 1γ ottimizzato. Questa innovazione si basa sulle innovazioni CMOS, sfruttando la tecnologia di gate metallici high-K di nuova generazione. Tali progressi migliorano le prestazioni dei transistor, migliorano le capacità di velocità e consentono significativi risparmi energetici e miglioramenti di scalabilità.

Integrando la litografia EUV all’avanguardia con la tecnologia di incisione ad alto rapporto di aspetto e design innovativi, il nodo 1γ offre vantaggi di densità di bit senza pari. Lo sviluppo del nodo 1γ in più siti di produzione globali rafforza ulteriormente l’impegno di Micron per l’avanzamento tecnologico e la resilienza della supply chain.

Prodotti trasformativi dal cloud all’edge

Il nodo 1γ fungerà da tecnologia fondamentale che migliorerà l’intero portafoglio di memorie di Micron, con un impatto su vari settori:

Data Center: le soluzioni di memoria DDR5 basate su 1γ per data center promettono prestazioni migliorate fino al 15% insieme a una migliore efficienza energetica, consentendo un continuo ridimensionamento delle prestazioni del server per un design termico e di potenza ottimizzato nelle future distribuzioni di rack.
Edge AI: le soluzioni DRAM a basso consumo da 1γ non solo migliorano il risparmio energetico, ma offrono anche una maggiore larghezza di banda, arricchendo l’esperienza utente nelle applicazioni Edge AI.
- PC con intelligenza artificiale: i moduli SODIMM DDR5 da 1γ migliorano le prestazioni riducendo al contempo il consumo energetico del 20%, prolungando efficacemente la durata della batteria e migliorando l’esperienza utente sui laptop.
- Dispositivi mobili: con l’introduzione dell’LPDDR5X 1γ, Micron continua a guidare il settore della tecnologia mobile, consentendo eccezionali applicazioni di intelligenza artificiale in ambito edge.
- Automotive: la memoria LPDDR5X da 1γ migliora capacità, durata e prestazioni, raggiungendo velocità fino a 9600 MT/s.

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