La giapponese Rapidus compete con TSMC nella tecnologia all’avanguardia dei chip di nodo GAA da 2 nm

La concorrenza nel settore dei semiconduttori si sta intensificando, in particolare nel segmento dei nodi a 2 nm. La giapponese Rapidus ha svelato un’importante novità che la posiziona tra i leader del settore come TSMC e Samsung.

Rapidus fa progressi nella produzione a 2 nm con tecnologia innovativa

Storicamente, TSMC ha dominato il panorama della produzione di chip, seguita da vicino da Samsung e Intel. Tuttavia, Rapidus è pronta a entrare nell’arena dei 2 nm, mostrando progressi formidabili. In un recente annuncio, l’azienda ha rivelato di aver prototipato con successo un chip a 2 nm utilizzando la tecnologia Gate-All-Around (GAA) presso la sua fonderia IIM-1. Questo risultato posiziona Rapidus come pioniere nella produzione di massa della tecnologia GAA con queste dimensioni di nodo, con l’obiettivo di avviare la produzione su larga scala entro il 2027.

Per ottimizzare l’efficienza produttiva, Rapidus ha implementato una strategia di elaborazione “a singolo wafer” durante le fasi iniziali di produzione. Questo approccio consente aggiustamenti e miglioramenti in tempo reale, consentendo a Rapidus di sfruttare le capacità dell’intelligenza artificiale per il feedback sulla produzione. Perfezionando i processi e aumentando i tassi di resa, Rapidus è tra le prime ad adottare questi metodi all’avanguardia nella sua linea di produzione a 2 nm, sottolineando l’importanza della precisione durante la fase critica del campionamento.

Wafer di silicio con motivi colorati iridescenti su sfondo scuro.

Un altro traguardo significativo per Rapidus è l’utilizzo della tecnologia litografica a ultravioletti estremi (EUV), che l’ha resa la prima azienda in Giappone ad adottare macchinari così avanzati. L’integrazione delle apparecchiature di ASML allinea ulteriormente Rapidus alle capacità tecnologiche di TSMC nel campo della litografia, evidenziando il suo profondo impegno per l’innovazione. L’azienda punta a rilasciare i kit di progettazione di processo (PDK) GAA a 2 nm entro il primo trimestre del 2026, aprendo la strada a soluzioni personalizzate in vista del lancio della produzione su larga scala nel 2027, quasi un anno dopo la tempistica prevista da TSMC.

Con il continuo sviluppo tecnologico di Rapidus, le dinamiche del settore potrebbero cambiare. L’emergere di nuovi concorrenti come Rapidus potrebbe introdurre la necessaria diversificazione nel mercato dei semiconduttori, soprattutto perché i player affermati sembrano incontrare difficoltà nel mantenere la propria leadership.

Fonte e immagini