Il processo Intel 18A raggiunge una densità SRAM paragonabile a TSMC N2; il Team Blue si prepara per un ritorno straordinario

Rapporti recenti indicano che il processo 18A di Intel ha raggiunto livelli di densità SRAM paragonabili alla tecnologia N2 di TSMC, un traguardo significativo che evidenzia le capacità avanzate di Intel nel campo dei semiconduttori.

L’importanza del processo 18A di Intel e innovazioni come BSPDN

Con gli sviluppi in evoluzione nell’architettura dei chip Intel, c’è un crescente senso di ottimismo riguardo al futuro dell’azienda. Le recenti discussioni all’International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) rivelano che Intel e TSMC sono molto simili in termini di densità SRAM, con notevoli progressi che potrebbero rimodellare il panorama competitivo della produzione di semiconduttori.

Ho partecipato alla sessione 29 di @ieee_isscc : SRAM

1° articolo: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2° articolo: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3° articolo: @Mediatek 3nm TCAM 4° articolo: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

È una battaglia reale.

— Sì.𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 19 febbraio 2025

Mentre approfondiamo le possibilità presentate dal processo 18A, è essenziale evidenziare una delle sue innovazioni rivoluzionarie: la Backside Power Delivery Network (BSPDN).Questa tecnologia pionieristica sposta l’erogazione di potenza dalla parte anteriore a quella posteriore del wafer, con conseguente maggiore efficienza energetica e migliore integrità del segnale, entrambi fattori cruciali per le prestazioni dei semiconduttori moderni.

Intel avrebbe attirato l'attenzione di TSMC — Un dipendente di una fabbrica Intel tiene in mano un wafer con tecnologia Foveros impilata in 3D presso uno stabilimento di fabbricazione Intel a Hillsboro, Oregon (dicembre 2023).A febbraio 2024, Intel ha presentato Intel Foundry, posizionandosi come la prima fonderia di sistemi al mondo su misura per l’era dell’intelligenza artificiale, sottolineando la leadership tecnologica, la resilienza e la sostenibilità.(Credito: Intel Corporation)

Si dice che le versioni ad alta densità del 18A di Intel raggiungano un’impressionante densità di bit macro di 38, 1 Mb/mm² in configurazioni di array di grandi dimensioni. Mentre le variazioni nelle disposizioni delle celle SRAM possono influenzare i risultati di densità, le prospettive per il processo 18A sembrano significativamente positive. Tuttavia, è fondamentale monitorare le effettive prestazioni di produzione dei chip, in particolare i tassi di rendimento, per valutare appieno l’efficacia di questa nuova tecnologia.

Nel frattempo, TSMC ha anche fatto passi da gigante nel suo processo N2, mostrando un incremento del 12% nella densità SRAM grazie alla sua transizione alla tecnologia Gate-All-Around (GAA).I miglioramenti nella SRAM ad alte prestazioni mostrano un notevole aumento del 18% nella densità. La chiave di questo miglioramento sta nel passaggio dalle tradizionali strutture FinFET alle strutture “nanosheet” N2, consentendo una maggiore personalizzazione e precisione nel processo di produzione.

La gara competitiva tra TSMC e Intel si sta scaldando, promettendo un ambiente ancora più intenso nell’innovazione dei semiconduttori. Tuttavia, la prova definitiva di questi progressi risiede nella loro integrazione nella supply chain e nelle effettive prestazioni di mercato.

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