I produttori di memorie si mobilitano per affrontare la carenza di risorse in risposta alla domanda di intelligenza artificiale
Con l’aumento della domanda di prodotti di memoria, è emersa una sfida ardua: gravi carenze che favoriscono notevolmente i venditori. Con la rapida espansione delle tecnologie di intelligenza artificiale (IA), le aziende sono alla ricerca di accordi a lungo termine (LTA) con i principali produttori di memorie, come Micron. A complicare ulteriormente la situazione, il settore dei beni di consumo continua a registrare una domanda inarrestabile, spingendo i fornitori a concentrarsi sull’aumento della capacità produttiva. Recenti resoconti del Wall Street Journal e dei media coreani indicano che i produttori di memorie stanno intensificando i loro sforzi, impegnandosi a investire centinaia di miliardi in progetti di espansione della capacità.
Concentrandosi su Micron, che ha fatto notizia per i suoi ambiziosi investimenti, l’azienda ha stanziato la sbalorditiva cifra di 200 miliardi di dollari per la sua crescita futura. Come sottolineato in un rapporto del WSJ, uno dei progetti di punta di Micron include lo sviluppo di uno stabilimento di 450 acri a Boise, Idaho. Questo sito è destinato a ospitare il più grande impianto di camere bianche degli Stati Uniti, che dovrebbe aumentare la produzione tra 150.000 e 200.000 wafer al mese (WPM), aumentando così la capacità produttiva globale di Micron di circa il 40%.
Oltre all’investimento di Boise, lo stabilimento Micron di New York rappresenta un investimento privato storico per lo Stato, stimato in 100 miliardi di dollari. Questo progetto include la realizzazione di quattro ulteriori camere bianche da 56.000 metri quadrati, che miglioreranno ulteriormente la capacità produttiva di DRAM. Tuttavia, queste espansioni sollevano un interrogativo importante: quando queste strutture inizieranno a contribuire al mercato? Si prevede che il sito di Boise raggiungerà la piena capacità entro la seconda metà del 2027, mentre il progetto di New York potrebbe richiedere fino al 2045 per essere pienamente operativo.
Nel frattempo, i fornitori di memorie coreani non restano a guardare. Un recente rapporto di Chosun Biz ha rivelato che aziende come We Hynix stanno accelerando i loro programmi di produzione per sfruttare l’attuale superciclo della domanda di memorie. We Hynix prevede di avviare a breve le operazioni di test presso il suo stabilimento di Yongin, il che promette di rappresentare un netto passo avanti rispetto agli sforzi di Micron. Lo stabilimento di Yongin è destinato a un investimento di 85 miliardi di dollari, con l’avvio delle attività previsto già a febbraio o marzo, in anticipo rispetto alle precedenti proiezioni.
Samsung sta inoltre intensificando i suoi sforzi accelerando i piani per la fabbrica P4 di Pyeongtaek, con l’obiettivo di completarla entro il quarto trimestre del 2026 anziché all’inizio del 2024. Una volta operativa, si prevede che questa struttura produrrà da 100.000 a 120.000 WPM, allentando potenzialmente i vincoli di fornitura entro il 2027.
Nel contesto dell’intelligenza artificiale, l’importanza della DRAM sta evolvendo rapidamente. In particolare, lo standard LPDDR, un tempo utilizzato prevalentemente nei prodotti di consumo, sta ora guadagnando terreno nelle offerte rack-scale avanzate di NVIDIA. Poiché le applicazioni di intelligenza artificiale si basano sempre più su un’elevata larghezza di banda di memoria, i produttori si stanno affrettando a implementare tecnologie all’avanguardia, tra cui moduli High Bandwidth Memory (HBM) e SOCAMM. Questo aumento della capacità della DRAM è destinato a soddisfare la crescente domanda del settore dell’intelligenza artificiale.
Sebbene vi sia la speranza che le condizioni di memoria possano alla fine stabilizzarsi per i consumatori, è fondamentale comprendere che una parte significativa della capacità ampliata sarà probabilmente destinata al fiorente settore dell’intelligenza artificiale. Di conseguenza, una persistente carenza di memoria potrebbe incombere sul mercato consumer nel prossimo futuro.
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