Secondo una recente analisi, i fornitori di memorie stanno trasformando le pratiche tradizionali relative ai contratti DRAM, con implicazioni significative per i meccanismi di determinazione dei prezzi.
Dinamiche in evoluzione nei contratti DRAM
Mentre il settore si è spesso concentrato sulla carenza di memoria dal punto di vista dei consumatori, la situazione appare nettamente diversa per chi opera all’interno della catena di fornitura. Un rapporto dell’agenzia di stampa sudcoreana ETNews ha evidenziato una tendenza in base alla quale i fornitori stanno ora imponendo condizioni “post-accordo” nei loro contratti, per adattarsi al rapido cambiamento del panorama dei prezzi delle DRAM.
Tradizionalmente, quando gli accordi a lungo termine (LTA) erano diffusi, i clienti stipulavano contratti annuali con valutazioni trimestrali dei prezzi delle DRAM. Tuttavia, l’attuale contesto di mercato è caratterizzato da rapide fluttuazioni, che richiedono adeguamenti molto più rapidi, giornalieri o settimanali. Pertanto, il blocco dei prezzi tramite LTA sta diventando meno vantaggioso per i produttori di memorie, incidendo sui potenziali profitti.
Per orientarsi in questo mercato complesso, i fornitori stanno stipulando contratti post-accordo. Ciò significa che, in caso di aumenti sostanziali dei prezzi delle DRAM durante gli accordi a breve termine, gli acquirenti saranno tenuti ad adeguare di conseguenza i propri pagamenti alla conclusione del contratto.È interessante notare che i timori che aziende come Micron potrebbero avere difficoltà in caso di calo dei prezzi delle DRAM appaiono infondati; i fornitori ritengono improbabile una riduzione dei prezzi.
Numerose aziende tecnologiche statunitensi sono ansiose di stipulare contratti LTA con i fornitori di memorie, ma l’urgenza non risiede solo nella tempestività. L’attenzione si concentra invece su quali clienti possano generare maggiori profitti per i produttori. Attualmente, l’intero settore delle DRAM sembra essere in uno stato di intensa attività, spinto da una domanda esplosiva di DRAM dovuta alla crescita delle infrastrutture di intelligenza artificiale.
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