TSMC va contourner la technologie EUV à haute ouverture numérique pour le nœud A14 (1,4 nm), privilégiant la rentabilité plutôt que les performances

Il semble que TSMC, le géant taïwanais des semi-conducteurs, ne se précipite pas pour adopter la technologie de lithographie ultraviolette extrême (EUV) à haute ouverture numérique. Des développements récents indiquent que l’entreprise envisage de renoncer à cette approche de pointe au profit de méthodes éprouvées pour sa future production de puces A14.

Changement stratégique de TSMC : privilégier les technologies conventionnelles plutôt que les EUV à large bande passante

Historiquement, TSMC a été à la pointe des avancées technologiques dans le domaine des semi-conducteurs, se positionnant souvent comme leader du secteur grâce à ses pratiques innovantes. Cependant, lors du récent Symposium sur les nanotechnologies, Kevin Zhang, vice-président senior de TSMC, a annoncé que l’entreprise n’utiliserait pas la lithographie EUV à large ouverture numérique pour le procédé A14. Elle s’appuiera désormais sur la technologie EUV traditionnelle à ouverture numérique numérique de 0, 33. Ce changement de cap place TSMC derrière des concurrents comme Intel Foundry, qui ont adopté des outils de lithographie plus récents.

TSMC n’utilisera pas la lithographie EUV à haute NA pour modéliser les puces A14, dont la fabrication devrait commencer en 2028. De 2 nanomètres à A14, nous n’avons pas besoin d’utiliser une NA élevée, mais nous pouvons continuer à maintenir une complexité similaire en termes d’étapes de traitement.

À chaque nouvelle génération de technologie, nous nous efforçons de minimiser le nombre de masques. C’est essentiel pour proposer une solution rentable.

– Kevin Zhang de TSMC

Le principal facteur qui a guidé la décision de TSMC est l’augmentation substantielle des coûts de production liée à l’adoption de la lithographie EUV à large ouverture numérique. Des rapports suggèrent que le recours à la lithographie à large ouverture numérique pourrait multiplier les coûts par 2, 5 par rapport aux méthodes EUV standard. Une telle augmentation rendrait le procédé A14 excessivement coûteux et, par conséquent, compliquerait son intégration dans les produits grand public.

Machines de lithographie EUV à haute ouverture numérique ASML — Crédits image : ASML

La conception de la puce A14, qui nécessite plusieurs masques pour chaque couche, complique encore davantage la situation. La mise en œuvre d’une lithographie à large ouverture numérique (NA) entraînerait une hausse des coûts et un retour sur investissement limité ; TSMC privilégie donc l’approche EUV à 0, 33 NA. Cette stratégie permet à l’entreprise d’exploiter des techniques de multi-motif, réduisant ainsi la complexité de la conception tout en maîtrisant les coûts de production.

Curieusement, la réticence de TSMC à adopter la technologie EUV à haute ouverture numérique lui confère un désavantage concurrentiel. Intel Foundry serait prêt à utiliser cette technologie pour son prochain procédé 18A, dont le lancement est prévu dès l’année prochaine. Intel pourrait ainsi acquérir une avance technologique sur TSMC, qui prévoit son nœud A14P pour 2029, retardant ainsi d’au moins quatre ans son recours à la lithographie à haute ouverture numérique. Ce choix stratégique pourrait conférer à Intel et à d’autres concurrents un avantage significatif sur le marché des semi-conducteurs.

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