
Des mises à jour récentes indiquent que TSMC n’intégrera pas la lithographie EUV à haute ouverture numérique (NA) à son processus de fabrication des prochaines puces A14. Le géant des semi-conducteurs prévoit plutôt d’utiliser la technologie EUV traditionnelle à 0, 33 NA.
Changement stratégique de TSMC : privilégier la technologie établie plutôt que l’EUV à large ouverture numérique
TSMC est depuis longtemps reconnu comme un leader de l’innovation dans le domaine des semi-conducteurs, établissant régulièrement des références pour le secteur. Cependant, lors du récent symposium technologique nord-américain, Kevin Zhang, vice-président senior de TSMC, a annoncé que l’entreprise renonçait à la lithographie EUV High-NA pour son procédé de fabrication A14. Cette décision témoigne d’un recours à une technologie éprouvée, ce qui pourrait donner à Intel Foundry et à certains fabricants de DRAM un avantage concurrentiel.
TSMC n’utilisera pas la lithographie EUV à haute NA pour modéliser les puces A14, dont la fabrication devrait commencer en 2028. De 2 nanomètres à A14, nous n’avons pas besoin d’utiliser une NA élevée, mais nous pouvons continuer à maintenir une complexité similaire en termes d’étapes de traitement.
À chaque nouvelle génération de technologie, nous nous efforçons de minimiser le nombre de masques. C’est essentiel pour proposer une solution rentable.
– Kevin Zhang de TSMC
Cette décision souligne l’engagement de TSMC à maintenir l’efficacité et la rentabilité de ses processus de production tout en s’adaptant à l’évolution du secteur des semi-conducteurs. Les implications de ce choix pourraient influencer significativement la dynamique concurrentielle au sein de l’industrie des semi-conducteurs.
C’est une histoire en évolution…
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