Synopsys lance « Silicon Bring-Up » de l’IP LPDDR6 sur le nœud N2P avancé de TSMC, atteignant une bande passante exceptionnelle de 86 Go/s

Synopsys a réalisé une avancée significative dans la technologie de mémoire mobile en annonçant le succès de la mise en production au silicium de sa propriété intellectuelle (IP) LPDDR6 basée sur le nœud de processus N2P de pointe de TSMC.

Des performances impressionnantes en matière de bande passante grâce à la technologie N2P

Pour ceux qui ne le savent pas, la mise en service du silicium représente la phase initiale de mise sous tension d’une nouvelle puce, particulièrement pertinente dans le contexte d’un bloc de propriété intellectuelle. Ce processus essentiel implique une série de tests incluant la validation matérielle, le séquençage de l’alimentation et d’autres vérifications critiques. Les progrès récents de Synopsys mettent en évidence sa capacité à développer un bloc de propriété intellectuelle LPDDR6 sous licence capable d’atteindre des débits exceptionnels allant jusqu’à 86 Go/s, en parfaite adéquation avec les spécifications des normes JEDEC.

Nous avons réussi la mise à niveau de notre IP LPDDR6 sur silicium sur TSMC N2P, offrant une bande passante allant jusqu’à 86 Go/s. Optimisez les systèmes mobiles, d’IA et de périphérie de nouvelle génération avec des SDRAM LPDDR performantes.

— Synopsys (@Synopsys) 16 octobre 2025

Ce développement marque l’une des premières intégrations du processus N2P avancé de TSMC avec un bloc IP LPDDR6. L’architecture de cette IP se compose de deux éléments principaux : le contrôleur et l’interface PHY. Le contrôleur est responsable de l’implémentation du moteur de protocole JEDEC et de la gestion des contrôles de temporisation et des états basse consommation. Plus important encore, le processus N2P de TSMC améliore les capacités de la PHY, car il intègre des circuits analogiques et d’E/S avancés conçus pour optimiser les performances.

Le contrôleur LPDDR6 exige notamment une densité et une vitesse accrues pour une fermeture temporelle efficace. La technologie N2P excelle dans ce domaine, affichant des performances énergétiques impressionnantes (PPA).Cela réduit non seulement la consommation d’énergie par bit, mais minimise également l’empreinte physique de la mémoire, facilitant ainsi son application à l’IA embarquée et à d’autres plateformes économes en énergie.

Micron DDR5 MRDIMM avec étiquettes 256 Go 8800MT/s facteur de forme 1U et 128 Go 8800MT/s affichés sur un fond LPDDR6.

En analysant plus en détail les indicateurs de performance, Synopsys révèle que la pile supporte une bande passante remarquable de 86 Go/s, conforme à la norme JEDEC d’environ 10, 667 Go/s par broche. La vitesse maximale théorique pourrait atteindre environ 14, 4 Go/s par broche, soit une bande passante totale impressionnante de 115 Go/s. Cela indique que la LPDDR6 représente une avancée générationnelle significative par rapport à la LPDDR5, grâce aux améliorations innovantes apportées par la technologie N2P de TSMC.À l’avenir, la LPDDR6 est en passe de devenir une solution grand public au cours de l’année à venir, promettant de redéfinir les références du secteur en matière de mémoire mobile.

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