SK Hynix dévoile les premiers échantillons HBM4 à 12 couches au monde avec une capacité de 36 Go et un débit de données de 2 To/s, ainsi que des démonstrations 12-Hi HBM3e et SOCAMM

SK Hynix dévoile ses solutions de mémoire de nouvelle génération au GTC 2025

SK Hynix a fait parler d’elle avec l’annonce de ses mémoires innovantes 12-Hi HBM3E et SOCAMM, ainsi que des premiers échantillons mondiaux de mémoire 12-Hi HBM4. Ces développements s’inscrivent dans la volonté constante de l’entreprise de repousser les limites des solutions mémoire hautes performances pour le matériel informatique de pointe, notamment dans les secteurs de l’IA et des centres de données.

Prévues pour être présentées lors de l’événement GTC 2025, qui se déroule du 17 au 21 mars à San Jose, en Californie, les dernières offres de We Hynix promettent de remodeler le paysage du calcul haute performance.

Modèles de mémoire HBM 12-Hi — Source de l’image : SK Hynix

Progrès dans la technologie de la mémoire IA

Sur un marché de plus en plus concurrentiel, dominé par des géants comme Samsung et Micron, We Hynix a franchi une nouvelle étape en produisant le module SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) pour les puissants processeurs d’IA de NVIDIA. S’appuyant sur une technologie dérivée de la norme mémoire CAMM, le nouveau module SOCAMM offre une solution DRAM basse consommation conçue pour améliorer considérablement la capacité mémoire et les performances des charges de travail d’IA.

Le partenariat avec NVIDIA, notamment concernant la puce d’IA GB300, positionne fortement We Hynix face à ses concurrents, augmentant les capacités des deux sociétés à gérer efficacement les processus d’IA intensifs.

Exemples de mémoire SK Hynix HBM4 — Source de l’image : SK Hynix

Les principaux dirigeants présents au GTC 2025

Lors de l’événement GTC, l’équipe de direction de We Hynix présentera ses dernières avancées, notamment des personnalités notables telles que le PDG Kwak Noh-Jung, le président Juseon Kim et le directeur mondial de S&M Lee Sangrak.

SK Hynix vise à achever les préparatifs pour la production en série de produits HBM4 à 12 couches au cours du second semestre de l’année, renforçant ainsi sa position sur le marché de la mémoire IA de nouvelle génération.

Les échantillons HBM4 à 12 couches présentés offrent une capacité et une vitesse de pointe, essentielles pour les produits de mémoire IA.

Ce produit révolutionnaire atteint une bande passante capable de traiter plus de 2 téraoctets de données par seconde pour la première fois, ce qui équivaut à la transmission de plus de 400 films Full HD (5 Go chacun) en une seconde seulement, dépassant la vitesse de son prédécesseur, HBM3E, de plus de 60 %.

De plus, We Hynix utilise le procédé avancé MR-MUF pour garantir une capacité inégalée de 36 Go, la plus élevée parmi les produits HBM 12 couches. Ce procédé améliore non seulement la stabilité du produit, mais atténue également la déformation des puces, favorisant ainsi une meilleure dissipation thermique.

Perspectives d’avenir : Production de masse et plans de développement

Outre la présentation de sa mémoire 12-Hi HBM4 de pointe actuellement en développement, We Hynix prévoit de répondre aux besoins de clients de premier plan, dont NVIDIA, qui intégreront cette mémoire à leurs GPU Rubin. La 12-Hi HBM4 offrira jusqu’à 36 Go par pile avec des débits de données impressionnants atteignant 2 To/s.

La production en série de cette solution de mémoire avancée devrait commencer au cours du second semestre 2025, en utilisant le nœud de processus 3 nm de TSMC pour atteindre des performances et une efficacité de pointe.

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