SK hynix lance la production en série de mémoires Flash NAND QLC 321 couches pour PC avec une technologie innovante d’empilement 32 couches

SK hynix lance la production en série de mémoires Flash NAND QLC 321 couches pour PC avec une technologie innovante d’empilement 32 couches

SK hynix a officiellement annoncé le début de la production de masse de sa solution révolutionnaire de stockage Flash NAND QLC à 321 couches, qui présente une capacité d’empilage remarquable allant jusqu’à 32 couches.

Dévoilement de la mémoire Flash NAND QLC 321 couches de We hynix : une nouvelle ère dans la technologie de stockage

Ce développement représente une étape importante, car il s’agit de la première application mondiale de plus de 300 couches utilisant la technologie QLC (Quad-Level Cell), établissant ainsi une norme sans précédent en matière de densité de mémoire flash NAND. L’entreprise prévoit de lancer ce produit innovant au premier semestre de l’année prochaine, sous réserve de validation par ses clients internationaux.

« Nous allons faire un bond en avant majeur en tant que fournisseur de mémoire IA full-stack, en phase avec la croissance explosive de la demande en IA et les exigences de haute performance sur le marché des centres de données.»

Vue avant et arrière de la puce mémoire SK hynix, modèle H25T4QM88G.

Pour contrer les problèmes de performances potentiels qui accompagnent souvent les technologies NAND de grande capacité, Hynix a amélioré sa conception en augmentant le nombre de plans (unités opérationnelles indépendantes au sein d’une puce) de 4 à 6. Cette modification facilite non seulement un traitement parallèle plus important, mais améliore également considérablement les capacités de lecture simultanée.

Les avancées apportées par la NAND QLC 321 couches permettent une capacité accrue et des performances supérieures à celles des versions QLC précédentes. Les vitesses de transfert de données ont notamment été multipliées par deux, avec des performances en écriture jusqu’à 56 % et en lecture jusqu’à 18 %.De plus, l’efficacité énergétique en écriture a progressé de plus de 23 %, un facteur crucial pour maintenir la compétitivité des centres de données axés sur l’IA, où la conservation de l’énergie est essentielle.

Dans un premier temps, Hynix prévoit d’intégrer sa technologie NAND 321 couches dans les SSD pour PC, avec des projets de déploiement ultérieur dans les SSD d’entreprise (eSSD) pour les centres de données et les solutions Universal Flash Storage (UFS) pour les smartphones.

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