SK Hynix dévoile la toute première technologie HBM4 avec 16 piles Hi, une bande passante de 2,0 To/s et une matrice logique TSMC

SK Hynix a fièrement dévoilé sa technologie innovante de mémoire à large bande passante (HBM4) lors du Symposium technologique nord-américain de TSMC. Cet événement a également présenté diverses autres solutions de mémoire, soulignant le leadership de We Hynix dans les avancées en matière de mémoire IA.

Technologie révolutionnaire HBM4 : caractéristiques et projets futurs

La nouvelle mémoire HBM4 présente des spécifications impressionnantes, avec notamment une capacité de 48 Go et une bande passante exceptionnelle de 2, 0 To/s, complétée par une vitesse d’E/S de 8, 0 Gbit/s. We Hynix vise une production de masse au second semestre 2025, et pourrait commencer à l’intégrer à des produits commerciaux d’ici la fin de l’année. We Hynix devient ainsi le fournisseur exclusif de la technologie HBM4 actuellement présentée au public.

Il est important de noter que cette norme de pointe devrait être intégrée aux clusters d’IA GB300 « Blackwell Ultra » de NVIDIA, en particulier alors que NVIDIA se prépare à passer à HBM4 avec son projet Vera Rubin.

De plus, Hynix développe des modules serveurs hautes performances basés sur la nouvelle norme DRAM 1c. Ces développements ont propulsé les débits à un niveau exceptionnel de 12 500 Mo/s, témoignant de l’engagement de l’entreprise en faveur de l’innovation.

Parmi les points forts figuraient la gamme MRDIMM, avec une vitesse de 12, 8 Gbps et des capacités de 64 Go, 96 Go et 256 Go ; des modules RDIMM avec une vitesse de 8 Gbps dans des capacités de 64 Go et 96 Go ; et un RDIMM 3DS de 256 Go.

Grâce à ces avancées remarquables, We Hynix ouvre clairement la voie à une nouvelle ère de technologie de mémoire, renforçant sa position d’acteur clé dans l’industrie des semi-conducteurs.

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