SK Hynix dévoile des puces mémoire DDR5 « A-Die » de 3 Go de deuxième génération avec un emplacement AKBD indiquant une vitesse native de 7 200 MT/s.

Mémoire A-Die 3 Go de deuxième génération découverte sur Facebook ; elle pourrait offrir une vitesse JEDEC native de 7 200 MT/s.

Une découverte récente sur Facebook a dévoilé la deuxième génération de puces mémoire A-Die 3 Go, identifiées par l’étiquette X021 et le code « AKBD ».Selon les informations partagées par @unikoshardware, cette nouvelle désignation marque la succession de la variante M-die 3 Go existante, qui a été un élément essentiel des premiers modules mémoire DDR5.

SK Hynix utilise une convention de nommage systématique, où des combinaisons comme EB, GB et HB correspondent à des vitesses JEDEC de 4 800, 5 600 et 6 400 MT/s respectivement. Suivant cette logique, l’introduction de la désignation « KB » suggère une vitesse anticipée de 7 200 MT/s pour la prochaine mémoire, soulignant ainsi les avancées de la technologie DDR5.

Puce mémoire SK Hynix H5CG08KBD positionnée sur un clavier. — Crédit image : Facebook

Cette évolution s’inscrit parfaitement dans la feuille de route stratégique d’Intel, puisque les processeurs Arrow Lake Refresh et Panther Lake devraient prendre en charge des vitesses DDR5 allant jusqu’à 7 200 MT/s, ce qui représente une amélioration notable par rapport aux normes DDR5-5600 des processeurs Raptor Lake et DDR5-6400 d’Arrow Lake. Cela laisse présager que les puces A-Die pourraient devenir la base des kits mémoire hautes performances conçus pour les processeurs Intel de nouvelle génération.

Cependant, un utilisateur a soulevé un point crucial concernant la construction du module. La conception du circuit imprimé à 8 couches, suspectée, pourrait impacter la stabilité lors d’un fonctionnement à des vitesses de mémoire élevées. Bien que ces premiers échantillons de We Hynix illustrent les nouveaux circuits intégrés A-Die, les circuits imprimés à 8 couches rencontrent généralement des difficultés pour maintenir une stabilité au-delà de 8 000 MT/s, principalement en raison de contraintes d’intégrité du signal et de fourniture d’énergie.

En revanche, les kits de RAM DDR5 plus performants utilisent souvent des circuits imprimés à 10, voire 12 couches, offrant des chemins de signal plus clairs, essentiels pour atteindre des vitesses de mémoire supérieures. Des passionnés ont déjà démontré leur capacité à dépasser les 12 000 MT/s, certains ayant même récemment officiellement dépassé les 13 000 MT/s. Pour que les nouvelles puces A-Die « AKBD » de We Hynix puissent exploiter tout leur potentiel, les fabricants devront peut-être déployer ces technologies de circuits imprimés avancées.

Spécification	Détails
Type de matrice	SK Hynix 3 Go A-Die (2e génération)
Marquage	X021
Code de pièce	AKBD
Vitesse native (spéculée)	7200 MT/s (JEDEC)
Compatibilité de la plateforme	Rafraîchissement du lac Arrow, lac Panther