SK hynix développe un stockage à large bande passante (HBS) avec des puces DRAM et NAND empilées pour améliorer les performances de l’IA dans les smartphones et les tablettes.

SK hynix s’apprête à révolutionner les vitesses de traitement des données en empilant jusqu’à 16 couches de puces DRAM et NAND, grâce à une technologie innovante appelée VFO (Vertical Wire Fan-Out).Cette avancée est essentielle pour améliorer les performances de nombreux appareils électroniques.

Le VFO améliore l’efficacité de la transmission des données

Selon ETNews, le succès du stockage à large bande passante (HBS) repose en grande partie sur la méthode d’encapsulation VFO. Lancée en 2023 par We hynix, cette technologie connecte les puces DRAM et NAND de manière linéaire, contrairement aux techniques de câblage courbe classiques. Cette configuration minimise les pertes de transmission de données et améliore l’efficacité des transferts, un atout particulièrement important avec la démocratisation de l’intelligence artificielle générative sur smartphones et tablettes.

SK Hynix développe un stockage à large bande passante pour améliorer les performances de l'IA sur les smartphones et les tablettes. — Mise en œuvre du stockage à large bande passante dans les appareils modernes.

Les avantages du VFO sont notables. En réduisant considérablement les distances de câblage et en minimisant les pertes et les délais de transmission du signal, le VFO facilite un plus grand nombre de connexions d’E/S. Cette combinaison d’améliorations permet d’accroître significativement les performances de traitement des données. HBS est conçu pour fonctionner de manière transparente avec les puces de smartphones, qui seront intégrées à la carte mère de l’appareil. Bien que les détails concernant les systèmes sur puce (SoC) compatibles restent encore peu nombreux, le Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro devrait prendre en charge les technologies LPDDR6 et UFS 5.0, ce qui en fait un candidat idéal pour HBS.

Incidences financières du stockage à large bande passante pour les fabricants

L’un des principaux avantages de la mémoire HBS réside dans son coût de fabrication réduit par rapport à la mémoire à large bande passante (HBM).Contrairement à la HBM qui nécessite la technologie TSV (Through Silicon Via), impliquant une perforation physique de la puce, la HBS s’affranchit de cette étape. Il en résulte une amélioration des rendements de production et une baisse des coûts globaux, un atout majeur pour les fabricants souhaitant adopter cette solution de stockage.

À l’inverse, Apple envisagerait d’utiliser la mémoire HBM et la TSV pour ses prochains appareils, afin d’offrir des fonctionnalités d’IA plus robustes directement sur l’iPhone. Dans ce contexte, il n’est pas surprenant qu’Apple étudie déjà la mémoire HBM comme option de stockage potentielle pour ses futurs modèles.

Pour plus de détails, consultez le rapport d’ETNews.

Pour plus d’informations et d’images, consultez la source Wccftech.