SK Hynix développe sa technologie DRAM 1c avec six couches EUV, se positionnant ainsi face à Samsung dans le domaine des innovations EUV à haute résolution numérique.

SK Hynix développe sa technologie DRAM 1c avec six couches EUV, se positionnant ainsi face à Samsung dans le domaine des innovations EUV à haute résolution numérique.

SK hynix fait parler de lui avec son ambitieux projet de lancement de la technologie DRAM 1c. Cette approche innovante devrait élever les performances des produits DDR5 et HBM, positionnant l’entreprise comme un leader sur le marché des chipsets mémoire.

SK Hynix exploite l’EUV pour les technologies DRAM de nouvelle génération afin d’améliorer les rendements et les performances

Cette initiative stratégique devrait considérablement améliorer l’offre de We hynix dans les secteurs de la mémoire grand public et HBM. Plus important encore, elle ouvre la voie aux avancées dans les technologies DRAM de nouvelle génération, susceptibles d’intégrer des méthodes EUV à haute ouverture numérique.

Pour ceux qui ne connaissent pas bien la lithographie ultraviolette extrême (EUV), il est important de noter que cette technique implique des processus complexes. Fonctionnant à une longueur d’onde de 13, 5 nm, l’EUV vise à résoudre les problèmes complexes liés aux circuits en permettant la création de détails plus fins tout en minimisant les étapes de modélisation multiples.

Les prix des mémoires DRAM et NAND ont chuté de près de 20 %, principalement en raison de la baisse de la demande des consommateurs.

L’introduction anticipée de la DRAM 1c, notamment avec son intégration dans HBM4, promet d’apporter des améliorations significatives des performances dans un avenir proche.

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