Samsung s’apprête à lancer la production en masse de sa mémoire HBM4 de nouvelle génération en 2026 : elle comprendra des versions GDDR7 de 24 Go et DDR5 de plus de 128 Go.

Les plans ambitieux de Samsung pour la production de mémoire de nouvelle génération en 2026

Samsung se prépare à des avancées significatives dans le domaine de la technologie de la mémoire, visant à lancer la production de mémoire à large bande passante de nouvelle génération (HBM4), ainsi que des produits DRAM GDDR7 de 24 Go et de plus de 128 Go prévus pour 2026.

Faits saillants de la performance financière récente

Dans son rapport sur les résultats du troisième trimestre 2025, Samsung a annoncé une hausse remarquable de 15, 4 % de son chiffre d’affaires, atteignant 86 100 milliards de wons coréens. Ces chiffres records s’expliquent principalement par une forte augmentation de la demande en mémoire HBM3E et en SSD pour serveurs, notamment grâce à l’essor de l’intelligence artificielle.

Points saillants financiers de Samsung au troisième trimestre 2025 — Principaux résultats financiers de Samsung pour le troisième trimestre 2025

Introduction de la mémoire HBM4 de nouvelle génération et du procédé 2 nm

Samsung a récemment dévoilé sa solution de mémoire HBM4 avancée, offrant des vitesses allant jusqu’à 11 Gbit/s par circuit intégré. Ce type de mémoire se positionne comme une option de choix pour les futurs accélérateurs d’IA des géants du secteur tels que NVIDIA et AMD, notamment les séries Rubin et MI400. Des échantillons de cette mémoire HBM4 de pointe seraient actuellement évalués par les fabricants de puces d’IA à des fins de test et de qualification.

En parallèle avec la HBM4, Samsung s’attache à garantir un approvisionnement constant de son procédé Gate-All-Around (GAA) 2 nm et de sa puce de base HBM4 d’ici 2026. La technologie 2 nm devrait améliorer la production des systèmes sur puce (SoC) Exynos et Qualcomm Snapdragon de nouvelle génération, avec une montée en puissance prévue ce trimestre.

Au quatrième trimestre 2025, l’entreprise répondra activement à la demande des serveurs d’IA et des serveurs classiques en proposant des solutions de mémoire HBM3E, des SSD eSSD haute densité et d’autres mémoires de pointe. Elle poursuivra également le développement des ventes de produits de mémoire serveur à forte valeur ajoutée, leaders du marché, tels que la DDR5 de 128 Go et plus, ainsi que la GDDR7 de 24 Go.

À l’horizon 2026, l’activité Mémoire se concentrera sur la production en série de produits HBM4 aux performances différenciées, tout en développant sa base de ventes de HBM. La demande en HBM4 devrait augmenter, et l’entreprise prévoit d’y répondre proactivement en augmentant ses capacités de production (1c).Elle s’attachera également à développer les ventes d’autres produits à forte valeur ajoutée, tels que la DDR5, la LPDDR5x et les SSD QLC haute densité, afin de répondre aux besoins des applications d’IA.

Au quatrième trimestre 2025, l’entreprise visera une amélioration continue de ses résultats en augmentant la production de masse de produits Gate-All-Around (GAA) de 2 nm, en accroissant l’utilisation des usines et en optimisant les coûts.

En 2026, l’activité de fonderie se concentrera sur la fourniture d’un approvisionnement stable en nouveaux produits GAA 2 nm et en puce de base HBM4, et sur le démarrage en temps opportun des opérations dans l’usine de la société à Taylor, au Texas.

via Samsung Newsroom

Impacts futurs des produits et tendances du marché

Samsung a identifié le rôle crucial que joueront la mémoire DDR5 de plus de 128 Go et la mémoire DRAM GDDR7 de 24 Go en 2026. La sortie prévue des nouvelles plateformes de serveurs d’AMD et d’Intel au cours du second semestre 2026 devrait stimuler considérablement l’activité du marché.

Samsung se prépare à la production de mémoire HBM4 de nouvelle génération — Samsung se prépare à la production en masse de mémoires de nouvelle génération en 2026

La demande en GDDR7 devrait rester soutenue, notamment auprès des utilisateurs exigeants et des développeurs de cartes graphiques dédiées à l’IA. Le GPU Rubin CPX récemment dévoilé par NVIDIA est un candidat idéal pour cette mémoire, qui pourrait également équiper les futurs produits tels que la série NVIDIA RTX 50 « SUPER » et les potentielles mises à jour des architectures AMD Radeon « RDNA 5 » ou « RDNA 4 ».Les puces DRAM de 24 Go permettront non seulement d’accroître la capacité de la VRAM, mais aussi de combler les lacunes des segments grand public.

Cependant, le marché de la DRAM et des SSD est actuellement confronté à un défi majeur : l’essor considérable de l’IA, qui entraîne une flambée des prix des produits destinés aux consommateurs. Des rapports récents font état d’une hausse significative des prix de la mémoire DDR5 et des SSD, dans un contexte de pénuries croissantes, ce qui inquiète tant les consommateurs que les fabricants. Plusieurs grands producteurs de DRAM ont déjà annoncé des augmentations de prix à venir pour la mémoire DDR5 et DDR4, ce qui justifie une surveillance accrue de l’évolution du marché dans les mois à venir.

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