Samsung s’apprête à dépasser TSMC grâce à un procédé 2 nm innovant aux États-Unis. La production de masse est prévue dans l’usine de Taylor d’ici le premier trimestre 2026.

Samsung s’apprête à dépasser TSMC grâce à un procédé 2 nm innovant aux États-Unis. La production de masse est prévue dans l’usine de Taylor d’ici le premier trimestre 2026.

Samsung Electronics se prépare à renforcer sa présence sur le marché américain des semi-conducteurs. De récents rapports révèlent l’intention de l’entreprise de dévoiler un procédé de fabrication de puces 2 nm de pointe avant son concurrent TSMC.

Le calendrier ambitieux de production de 2 nm de Samsung dans l’usine de Taylor

Historiquement, Samsung a affiché des ambitions ambitieuses dans le secteur des semi-conducteurs, mais ces ambitions ont souvent été déçues par des difficultés telles que la faiblesse des taux de rendement ou le manque d’engagement de l’entreprise. Cependant, face à la forte demande de puces produites aux États-Unis, l’entreprise est déterminée à saisir cette opportunité. Selon ZDNet Korea, Samsung prévoit d’introduire la première technologie 2 nm « de fabrication nationale » aux États-Unis et a déjà commencé les préparatifs de production dans son usine de Taylor, au Texas.

Bien que la production de puces 2 nm aux États-Unis soit actuellement en phase de planification, Samsung nourrit de l’espoir. Cet optimisme s’explique par l’intérêt croissant des grandes entreprises technologiques pour l’approvisionnement en puces américaines. L’entreprise vise à lancer la production de masse du procédé 2 nm dès janvier ou février prochain, en réaffectant ses ressources de recherche et développement à l’usine de Taylor. Bien que les activités américaines de Samsung n’aient pas encore égalé le succès de TSMC, l’entreprise semble déterminée à ouvrir une nouvelle voie significative dans le secteur, malgré des doutes persistants quant à la capacité de l’usine de Taylor à respecter les objectifs de production.

Samsung avait un objectif de rendement de 70 % pour son procédé GAA 3 nm de première et deuxième génération

Initialement, Samsung prévoyait de produire des puces 4 nm aux États-Unis, grâce au soutien financier du CHIPS Act. Malheureusement, malgré des investissements substantiels, l’entreprise n’a pas pu démarrer la production. Avec un regain d’intérêt pour son projet SF2, l’industrie observe attentivement si Samsung peut atteindre ses objectifs. Pour concurrencer les activités de TSMC en Arizona, le lancement d’un procédé 2 nm compétitif pourrait être crucial pour positionner Samsung comme un acteur incontournable du secteur des semi-conducteurs.

Concernant le projet SF2, des rapports font état de développements prometteurs, avec des taux de rendement atteignant 40 %.Bien que ce chiffre soit inférieur aux 60 % de rendement de TSMC pour son procédé 2 nm, l’engagement de Samsung à améliorer son efficacité dans ce domaine pourrait lui permettre d’être compétitif sur ce segment technologique avancé. La question cruciale demeure : Samsung peut-il atteindre les taux de rendement nécessaires à la production en série de puces 2 nm ?

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