Samsung reporte indéfiniment la production de mémoire HBM5E en raison des rendements insuffisants de la DRAM D1d.

La mémoire DRAM 1D de pointe de Samsung (7e génération 10 nm) conçue pour les futures solutions de mémoire à large bande passante (HBM) est confrontée à des défis qui pourraient retarder son entrée en production en raison de taux de rendement insatisfaisants.

Retards de production pour la mémoire HBM5E de nouvelle génération de Samsung

D’après un récent rapport d’ IT Chosun, Samsung reconsidère la production en série de sa mémoire DRAM 1D « D1d », basée sur une technologie de gravure avancée de 10 nm, en raison de performances de rendement insuffisantes. Cette situation pourrait amener le géant technologique à suspendre ses projets de solutions HBM de nouvelle génération.

Bien que la technologie DRAM ait déjà obtenu l’approbation de pré-production (PRA), des inquiétudes sont apparues concernant le retour sur investissement (ROI) pour le lancement d’un essai ou le passage à une production à grande échelle, principalement parce que les rendements réels ne répondent pas aux objectifs établis.

« Samsung Electronics prévoit de reporter indéfiniment la production de masse jusqu’à ce que le rendement du cycle D1d atteigne le niveau cible.À ce jour, aucune date de reprise n’a été fixée », a indiqué une source proche de Samsung.« L’entreprise s’attache à améliorer encore le rendement en réexaminant entièrement son processus de fabrication.»

Traduction automatique via IT Chosun

Le succès de la technologie DRAM D1d de Samsung est crucial pour la feuille de route future de sa mémoire HBM, en particulier pour la HBM5E, la solution HBM de 9e génération attendue de la société.

Gros plan d'une puce semi-conductrice Samsung montrant une grille avec des contacts en or. — Crédits photo : Samsung

Actuellement, la technologie DRAM 1c est utilisée dans trois générations de mémoire HBM : HBM4, HBM4E et HBM5. Le déploiement de la HBM4 est prévu plus tard cette année, principalement pour les plateformes NVIDIA Vera Rubin et AMD MI400, tandis que la HBM4E devrait prendre en charge les accélérateurs Rubin Ultra et MI500. Par ailleurs, la HBM5 et des architectures personnalisées devraient être intégrées à la gamme NVIDIA Feynman et à d’autres solutions concurrentes.

Il a été récemment rapporté que Samsung entend raccourcir considérablement son cycle de développement de mémoire HBM. Si cette stratégie peut accélérer la mise au point de nouvelles solutions HBM, elle ne garantit pas leur disponibilité immédiate pour la production. La distinction entre la phase de développement et le cycle de production met en évidence le niveau de préparation à la production comme un goulot d’étranglement potentiel, un point souligné dans la dernière analyse.

Par ailleurs, Samsung Electronics a investi des ressources considérables dans la construction d’une vaste usine de fabrication de puces à Onyang, en Corée du Sud. Cette usine, dont la superficie équivaut à celle de quatre terrains de football, est destinée à produire des puces DRAM de nouvelle génération, notamment la mémoire HBM. Elle prendra en charge toutes les étapes de la production, du conditionnement et des tests à la logistique et au contrôle qualité, garantissant ainsi un niveau de qualité élevé pour l’ensemble des activités de production.

[EXCLUSIF] Samsung Electronics va construire une nouvelle usine de semi-conducteurs à Onyang, d’une superficie équivalente à « quatre terrains de football », qui deviendra son principal centre de traitement des processus de fabrication. Samsung Electronics restructure sa stratégie concurrentielle dans le domaine de la mémoire HBM (High Bandwidth Memory) en se concentrant sur les processus de fabrication.pic.twitter.com/WFZdao3MVI

– Jukan (@jukan05) 21 avril 2026

Dans un secteur des semi-conducteurs en constante évolution, les entreprises rivalisent pour nouer des partenariats stratégiques avec les leaders de l’IA. La clé du succès réside dans la diversification des stratégies HBM et la mise en œuvre de plans de développement et de production cohérents, tout en garantissant des rendements satisfaisants et un retour sur investissement solide.

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