Samsung défie SK Hynix et Micron en lançant pour la première fois la mémoire HBM4

Samsung défie SK Hynix et Micron en lançant pour la première fois la mémoire HBM4

Samsung a fait la une des journaux en dévoilant publiquement ses modules de mémoire HBM4, signalant sa volonté d’entrer dans le paysage concurrentiel de la technologie de mémoire à large bande passante (HBM).

Perspectives de production et de rendement du HBM4 de Samsung

Composant phare de l’informatique contemporaine, le HBM4 joue un rôle essentiel dans l’amélioration des performances de l’intelligence artificielle (IA).Samsung, qui a retrouvé sa place sur le marché du HBM après une période de déclin, a présenté ses innovations HBM4 au salon des semi-conducteurs (SEDEX) 2025. Il s’agit d’un retour en force significatif pour le géant technologique.

Modèles HBM3E et HBM4 exposés lors d'une exposition technologique avec le texte « repousser les limites » visible.
Crédits image : Yonhap

Tirant les leçons des précédents échecs sur le marché de la DRAM, Samsung souhaite garantir sa compétitivité en accélérant la production de HBM4, aux côtés de ses concurrents. Un rapport de DigiTimes indique que le rendement des puces logiques pour HBM4 a atteint un niveau impressionnant de 90 %.Ce résultat positionne Samsung favorablement pour la production de masse, sans retard significatif à prévoir à ce stade.

Bien que Samsung n’ait pas encore obtenu l’approbation de NVIDIA pour la fourniture de HBM4, ses avancées dans cette technologie inspirent un sentiment d’optimisme concernant les partenariats futurs.

La mémoire à large bande passante HBM4 présentée à l'écran avec ses spécifications, tandis que quelqu'un capture l'instant avec un smartphone.

Alors que Samsung accélère son développement, le marché de la DRAM est appelé à devenir de plus en plus concurrentiel. La demande accrue de solutions mémoire hautes performances suggère une dynamique de marché inédite, suscitant à la fois enthousiasme et prudence parmi les acteurs du secteur.

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