Micron lance le premier nœud DRAM 1γ, visant à améliorer les performances de la DDR5

Micron Technology a fait parler d’elle avec le lancement de sa mémoire DDR5 révolutionnaire de sixième génération basée sur le nœud DRAM de classe 10 nm. Ce développement positionne Micron à l’avant-garde des marchés industriels et grand public.

Efficacité et performances améliorées grâce à la DRAM de sixième génération de Micron

Communiqué de presse : Dans une annonce passionnante, Micron Technology, Inc.a révélé qu’elle est devenue la première entreprise du secteur à commencer à expédier des échantillons de sa mémoire DDR5 1γ (1-gamma) de sixième génération. Cette DRAM de nouvelle génération est conçue pour les processeurs avancés et sera initialement distribuée à certains clients et partenaires de l’écosystème. S’appuyant sur ses avancées précédentes avec les nœuds 1α (1-alpha) et 1β (1-beta), Micron est prêt à donner vie à la prochaine vague de calcul, allant de l’infrastructure cloud aux applications industrielles, ainsi qu’aux appareils grand public et aux technologies Edge AI telles que les smartphones et les véhicules intelligents.

Le déploiement initial du nœud DRAM Micron 1γ exploitera la mémoire DRAM DDR5 16 Go, étendant progressivement son intégration à l’ensemble du portefeuille de mémoires de Micron. Cette démarche stratégique répond au besoin croissant de l’industrie en solutions de mémoire hautes performances et économes en énergie, en particulier dans les applications d’IA. Ce produit DDR5 16 Go offre des capacités de vitesse impressionnantes allant jusqu’à 9 200 MT/s, marquant une augmentation notable de 15 % de la vitesse et une diminution de plus de 20 % de la consommation d’énergie par rapport à son prédécesseur.

Pourquoi le nœud DRAM 1γ de Micron est-il important ?

La demande de solutions de mémoire avancées a augmenté parallèlement à l’essor de l’IA dans les centres de données et à la périphérie du réseau. Le passage de Micron au nœud DRAM 1γ répond à plusieurs défis critiques auxquels ses clients sont confrontés :

Performances améliorées : la DRAM basée sur Micron 1γ améliore les performances, permettant des capacités de calcul plus élevées sur divers produits de mémoire, vitales pour les futures charges de travail de l’IA.
Économies d’énergie : grâce à la technologie CMOS à grille métallique haute K de nouvelle génération et aux améliorations de conception, le nœud 1γ atteint une réduction de plus de 20 % de la consommation d’énergie, ce qui conduit à une meilleure gestion thermique.
Densité de bits accrue : grâce à la lithographie EUV et à des améliorations de conception innovantes, le nœud 1γ atteint une augmentation de plus de 30 % du nombre de bits par tranche par rapport à la génération précédente, facilitant ainsi une mise à l’échelle efficace de l’alimentation mémoire.

Micron a mis à profit sa vaste expertise en matière de technologie DRAM sur plusieurs générations pour développer le nœud 1γ optimisé. Cette innovation s’appuie sur les avancées du CMOS, exploitant la technologie de grille métallique à haute K de nouvelle génération. De telles avancées améliorent les performances des transistors, améliorent les capacités de vitesse et permettent des économies d’énergie et des améliorations de mise à l’échelle significatives.

En intégrant la lithographie EUV de pointe ainsi qu’une technologie de gravure à rapport hauteur/largeur élevé et des conceptions innovantes, le nœud 1γ offre des avantages inégalés en termes de densité de bits. Le développement du nœud 1γ sur plusieurs sites de fabrication mondiaux renforce encore l’engagement de Micron en faveur du progrès technologique et de la résilience de la chaîne d’approvisionnement.

Des produits de transformation du Cloud à l’Edge

Le nœud 1γ servira de technologie fondamentale qui améliorera l’ensemble du portefeuille de mémoires de Micron, impactant divers secteurs :

Centre de données : les solutions de mémoire DDR5 basées sur 1γ pour les centres de données promettent des performances améliorées jusqu’à 15 % ainsi qu’une efficacité énergétique améliorée, permettant une mise à l’échelle continue des performances du serveur pour une conception optimisée de l’alimentation et de la température dans les futurs déploiements en rack.
Edge AI : les solutions DRAM basse consommation 1γ améliorent non seulement les économies d’énergie, mais offrent également une bande passante accrue, enrichissant ainsi l’expérience utilisateur dans les applications Edge AI.
- PC IA : les SODIMM DDR5 1γ améliorent les performances tout en réduisant la consommation d’énergie de 20 %, prolongeant ainsi efficacement la durée de vie de la batterie et améliorant l’expérience utilisateur sur les ordinateurs portables.
- Appareils mobiles : avec l’introduction du 1γ LPDDR5X, Micron continue de dominer le domaine de la technologie mobile, permettant des applications d’IA exceptionnelles à la périphérie.
- Automobile : La mémoire 1γ LPDDR5X améliore la capacité, la durabilité et les performances, atteignant des vitesses allant jusqu’à 9 600 MT/s.

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