Micron dévoile les modules HBM4 11 Gbit/s les plus rapides et discute de la collaboration avec TSMC pour la mémoire HBM4E et GDDR7 de plus de 40 Gbit/s

Micron Technology a récemment annoncé une avancée significative sur le marché de la mémoire en livrant la mémoire DRAM à bande passante élevée de 11 Gbit/s (HBM4) la plus rapide jamais conçue, tout en détaillant son partenariat avec TSMC pour le développement de la HBM4E de nouvelle génération.

Technologie HBM4 de pointe et nouveaux partenariats

Lors de sa dernière conférence téléphonique sur les résultats du quatrième trimestre et de l’exercice 2025, Micron a dévoilé des informations clés concernant ses segments DRAM et Flash NAND. L’entreprise a publié des résultats financiers impressionnants, avec un chiffre d’affaires de 11, 32 milliards de dollars pour le trimestre, en forte hausse par rapport aux 9, 30 milliards de dollars du trimestre précédent. De plus, le chiffre d’affaires total de l’exercice a bondi de 25, 11 milliards de dollars à 37, 38 milliards de dollars. Soucieuse d’améliorer encore ses performances, l’entreprise se concentre sur les solutions mémoire de nouvelle génération.

Diapositive de présentation de Micron sur la performance financière — Aperçu des performances financières et des objectifs de Micron.

Diapositive de présentation de Micron sur les stratégies de l'exercice 2026 — Stratégies et détails de Micron sur la DRAM/NAND pour l’exercice 2026.

Concernant le développement de la mémoire HBM4, Micron a indiqué que sa solution DRAM HBM4 12-Hi est parfaitement positionnée pour répondre aux exigences croissantes de performance du secteur. L’entreprise a livré avec succès les premiers échantillons de sa mémoire HBM4 hautes performances, affichant des débits de broches dépassant 11 Gbit/s et une bande passante remarquable de 2, 8 To/s. Micron affirme que sa mémoire HBM4 dominera le marché en termes de performances et d’efficacité, surpassant tous ses concurrents.

Nous sommes ravis de constater que notre part de marché HBM est en bonne voie pour croître à nouveau et s’aligner sur notre part globale de DRAM au troisième trimestre civil, atteignant ainsi l’objectif que nous avons évoqué depuis plusieurs trimestres. La carte HBM4 12-hi de Micron Technology reste en bonne voie pour accompagner la montée en puissance des plateformes clients, malgré l’augmentation des exigences de performance en bande passante et en débit des broches HBM4.

Nous avons récemment livré à nos clients des échantillons de notre HBM4, doté d’une bande passante de pointe dépassant 2, 8 To/s et d’un débit de broche supérieur à 11 Gbit/s. Nous sommes convaincus que le HBM4 de Micron Technology surpasse tous les produits HBM4 concurrents, offrant des performances de pointe et une efficacité énergétique inégalée. Notre DRAM 1-gamma éprouvée, notre conception HBM4 innovante et économe en énergie, notre matrice de base CMOS interne avancée et nos innovations en matière de packaging sont des atouts majeurs pour ce produit de pointe.

Sanjay Mehrotra – Président-directeur général de Micron

Outre la mémoire HBM4, Micron a également présenté la prochaine mémoire HBM4E. Cette nouvelle variante bénéficiera d’une collaboration avec TSMC pour la fabrication de la puce logique de base, différant ainsi de la mémoire HBM4 entièrement développée en interne. Des versions standard et personnalisées de la mémoire HBM4E sont en cours de développement, avec un lancement prévu en 2027.

Pour le HBM4E, Micron Technology proposera des produits standard ainsi que des options de personnalisation pour la puce logique de base. Nous collaborons avec TSMC pour la fabrication de la puce logique de base HBM4E, destinée aux produits standard et personnalisés. La personnalisation exige une étroite collaboration avec nos clients, et nous prévoyons que le HBM4E, équipé de puces logiques de base personnalisées, générera des marges brutes supérieures à celles du HBM4E standard. Notre clientèle HBM s’est élargie et compte désormais six clients.

Nous avons des accords de prix avec presque tous les clients pour une grande majorité de notre approvisionnement en HBM3E pour l’année civile 2026. Nous sommes en discussions actives avec les clients sur les spécifications et les volumes pour HBM4, et nous prévoyons de conclure des accords pour vendre le reste de notre approvisionnement total en HBM pour l’année civile 2026 dans les mois à venir.

Sanjay Mehrotra – Président-directeur général de Micron

Détails de la mémoire Micron GDDR7 — Mémoire GDDR7 de Micron offrant des vitesses et des performances de jeu améliorées.

Micron a également souligné sa collaboration avec NVIDIA pour l’introduction de la mémoire LPDDR dans les centres de données, se positionnant ainsi comme fournisseur exclusif de ce type de mémoire. L’entreprise a également annoncé des avancées dans la mémoire GDDR7, destinées à l’IA et aux applications clientes, anticipant des débits dépassant les 40 Gbit/s pour les futurs modèles. NVIDIA est actuellement le seul fabricant de GPU à utiliser la technologie GDDR7, avec un déploiement initial à 32 Gbit/s.

En étroite collaboration avec NVIDIA, Micron a été pionnier dans l’adoption de la LPDRAM pour les serveurs. Depuis son introduction dans la gamme de produits Go de NVIDIA, Micron est le seul fournisseur de LPDRAM pour les centres de données. Outre son leadership en HBM et LP5, Micron est également bien positionné avec ses produits GDDR7, conçus pour offrir des performances ultra-rapides avec des débits de broches supérieurs à 40 Gbit/s, ainsi qu’une efficacité énergétique optimale pour répondre aux besoins de certains futurs systèmes d’IA.

Sanjay Mehrotra – Président-directeur général de Micron

Enfin, des développements prometteurs sont en cours concernant le nœud DRAM 1γ de Micron, qui atteint des rendements matures nettement plus rapidement que les générations précédentes, soit environ 50 % plus rapidement. L’entreprise progresse également bien dans sa production de NAND G9, confirmant son leadership avec l’introduction de SSD PCIe Gen6 dans les centres de données et promettant des solutions plus innovantes basées sur la DRAM 1γ de 16 Go.

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