
Le prochain processus 18A d’Intel suscite un enthousiasme considérable au sein de l’industrie des semi-conducteurs, alors que Team Blue vise à reconquérir sa position de leader.
Progrès révolutionnaires du processus 18A d’Intel : établir de nouvelles normes de performance
Bien qu’Intel ait rencontré des difficultés dans plusieurs divisions, l’avenir semble prometteur grâce aux initiatives de fabrication intégrée de dispositifs (IDM) menées par Pat Gelsinger, PDG de l’entreprise. L’engagement de l’entreprise à améliorer ses services de fonderie grâce à l’intégration verticale de sa chaîne d’approvisionnement commence à porter ses fruits. Le très attendu procédé 18A devrait être lancé prochainement, et des avancées notables ont déjà été présentées lors du Symposium VLSI 2025.
Quelques points forts techniques du VLSI 2025
Intel 18A RibbonFET (GAA) et PowerVia (BSPDN) – plus de 30 % d’évolutivité de la densité et un nœud complet d’amélioration des performances par rapport à Intel 3
Packaging avancé IMEC – collage hybride face avant pas de 250 nm et vias diélectriques traversants face arrière pour… pic.twitter.com/y5UD4SALgr
– Posiposi (@harukaze5719) 20 avril 2025
Les détails dévoilés ont souligné que le procédé 18A d’Intel a permis une augmentation de densité de plus de 30 % par rapport au procédé Intel 3. Cet exploit impressionnant est dû à des technologies avancées comme PowerVia et le Backside Power Delivery Network (BSPDN).En termes de performances, le procédé 18A affiche une augmentation de vitesse de 25 % et une réduction de consommation d’énergie de 36 % à 1, 1 volt, sur la base d’un sous-bloc cœur ARM standard. L’optimisation de l’utilisation de l’espace est également un avantage significatif, permettant des conceptions plus efficaces avec une densité potentiellement plus élevée.

L’une des caractéristiques les plus intéressantes du procédé 18A est sa cartographie de la chute de tension, qui témoigne de sa stabilité dans les scénarios hautes performances. L’intégration de la technologie PowerVia améliore considérablement la stabilité de la distribution d’énergie. La documentation complémentaire inclut également une comparaison de bibliothèques de cellules indiquant que l’approche de distribution d’énergie par l’arrière permet un empilement plus serré des cellules et une efficacité accrue grâce à l’espace de routage libéré en face avant.

Globalement, le procédé 18A d’Intel est le nœud de fonderie le plus sophistiqué à ce jour, et avec des taux de rendement en hausse, les attentes sont élevées quant à un lancement réussi. Comparé à des concurrents comme TSMC, le procédé 18A offre une densité SRAM équivalente à celle du N2 de TSMC, ce qui indique qu’Intel comble efficacement l’écart en termes de capacités des nœuds.
Concernant les applications pratiques, nous prévoyons que la technologie 18A sera d’abord implémentée dans les SoC Panther Lake et les processeurs Xeon « Clearwater Forest ».Si Intel maintient sa dynamique de rendement et progresse vers la production de masse, ces innovations pourraient faire leur apparition dès 2026.
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