Le processeur Samsung HBM4E promet une bande passante impressionnante de 3,25 To/s ; près de 2,5 fois plus rapide que le HBM3E, améliorant ainsi les performances de calcul de l’IA.

Le processeur Samsung HBM4E promet une bande passante impressionnante de 3,25 To/s ; près de 2,5 fois plus rapide que le HBM3E, améliorant ainsi les performances de calcul de l’IA.

Lors du récent sommet mondial de l’Open Compute Project (OCP), Samsung s’est imposé comme un pionnier dans le secteur de la fabrication de mémoire en dévoilant des avancées significatives dans la mémoire à large bande passante (HBM), notamment sa future technologie HBM4E. Cette nouvelle génération de mémoire promet des améliorations remarquables par rapport à ses prédécesseurs.

HBM4E de Samsung : une avancée technologique en matière de mémoire avec une vitesse inégalée

Samsung a activement développé ses offres HBM, en signant récemment des contrats clés avec des acteurs majeurs comme NVIDIA et AMD. Lors de l’OCP, l’entreprise a présenté l’avenir de sa série HBM, mettant en avant les spécifications impressionnantes du HBM4 et de la nouvelle génération HBM4E. Le HBM4E devrait notamment atteindre des débits de 13 Gbit/s par pile, soit une bande passante exceptionnelle de 3, 25 To/s, ce qui représente une amélioration substantielle des performances.

Les mémoires Samsung HBM4 et HBM4E ont été présentées lors d'une présentation, mettant en évidence des spécifications telles que la densité par tranche et le changement de processus logique.
Détails du Samsung HBM4E | Crédits image : Sedaily

De plus, le module HBM4E affiche une efficacité énergétique impressionnante, atteignant près du double de celle du HBM3E existant. Le procédé HBM4 de Samsung a également établi de nouvelles références, atteignant un débit de 11 Gbit/s, surpassant ainsi les normes établies par des organisations telles que le JEDEC. Cette avancée répond à la demande de NVIDIA pour des solutions HBM4 optimisées afin d’optimiser les performances de son architecture Rubin. Selon les médias locaux, Samsung a été le pionnier de cette avancée.

Samsung Electronics, jusqu’alors à la traîne par rapport à ses concurrents sur le segment HBM3E, s’est mobilisé pour des débits plus élevés depuis le début du développement du HBM4. Alors que la concurrence sur le HBM4 est sur le point de remporter un franc succès, la stratégie de l’entreprise est de maintenir son élan et de passer à la prochaine génération.- Sedaily

Outre l’amélioration des performances, Samsung s’attache également à établir une structure tarifaire compétitive pour les fournitures HBM4 à des entreprises comme NVIDIA. La technologie avancée des semi-conducteurs (4 nm) étant un composant essentiel du HBM4, les capacités de fonderie internes de Samsung permettent un meilleur contrôle des marges sur la production de ces modules.

Quant à l’introduction sur le marché du HBM4E, ses débuts sont prévus début 2026, coïncidant avec le calendrier de production de masse de la technologie HBM4.

Pour plus de détails, reportez-vous à la source d’information : Sedaily.

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