Intel a récemment mis en avant les avantages de sa technologie EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) par rapport aux solutions d’encapsulation 2.5D classiques, démontrant ainsi ses capacités supérieures pour la conception de puces avancées.
La technologie EMIB d’Intel surpasse les méthodes d’encapsulation 2.5D traditionnelles.
La technologie EMIB, développée par Intel, est intégrée à plusieurs de ses puces de pointe, notamment les gammes Ponte Vecchio, Sapphire Rapids, Granite Rapids, Sierra Forest et la future gamme Clearwater Forest. Cette solution d’interconnexion innovante témoigne de l’engagement d’Intel à améliorer les performances et l’évolutivité des puces.
— Intel Foundry (@Intel_Foundry) 14 janvier 2026
L’entreprise a présenté son plan d’amélioration des capacités d’encapsulation pour les futures générations de puces, qu’elles soient fabriquées en interne ou destinées à ses clients fondeurs. L’accent est mis sur des encapsulations complexes tirant parti de la technologie EMIB et de diverses technologies d’encapsulation propriétaires. La conception cible les centres de données et intègre plusieurs chiplets interconnectés via la technologie EMIB.



Des concurrents comme TSMC utilisent des technologies d’encapsulation 2.5D et 3D traditionnelles, reposant sur un interposeur en silicium placé entre les puces (ou chiplets) et le substrat du boîtier. Cette interconnexion est réalisée grâce à un réseau de pistes traversant le silicium, appelées vias traversants (TSV).



Intel souligne plusieurs inconvénients inhérents à la technologie 2.5D. Le besoin de silicium supplémentaire pour l’interconnexion fait grimper les coûts, et la complexité du boîtier augmente avec la taille des puces, ce qui impacte négativement les rendements à cause des TSV. De plus, les contraintes de taille et de flexibilité des puces limitent la possibilité de combiner différentes puces de calcul et de mémoire.


À l’inverse, la technologie EMIB élimine le besoin d’une large couche intermédiaire en silicium, en intégrant des ponts plus petits directement dans le substrat, là où les puces doivent être connectées. Cette approche novatrice permet de récapituler les capacités de l’EMIB, qui continue d’évoluer. La technologie comprend deux variantes principales :
EMIB 2.5D
Cette variante offre un moyen efficace et économique d’interconnecter plusieurs puces complexes.
- Idéal pour les applications logiques et logiques à mémoire à large bande passante (HBM).
- EMIB-M intègre des condensateurs MIM, tandis qu’EMIB-T incorpore des TSV.
- Le pont en silicium est intégré au substrat du boîtier, facilitant les connexions entre les rives.
- EMIB-T simplifie l’intégration de la propriété intellectuelle issue de différentes conceptions d’emballage.
- Rationalisation de la chaîne d’approvisionnement et des processus d’assemblage.
- Technologie éprouvée, produite en masse depuis 2017 et largement utilisée par Intel et ses partenaires.
EMIB 3.5D
Cette version combine les technologies EMIB et Foveros dans un seul et même package.
- Permet de prendre en charge les systèmes hétérogènes flexibles en autorisant un mélange de plusieurs puces.
- Parfaitement adapté aux applications nécessitant plusieurs piles 3D dans un package unifié.
- Utilisé dans la série Intel Data Center GPU Max, avec plus de 100 milliards de transistors répartis sur 47 tuiles actives et cinq nœuds de processus.
En résumé, la technologie EMIB d’Intel offre des avantages considérables, tels que la flexibilité de conception et l’évolutivité, difficiles à obtenir avec les méthodes 2.5D traditionnelles. Parmi les principaux avantages mis en avant par Intel, on peut citer :
- Taux de rendement constants des emballages
- Possibilités de réduction des coûts
- Processus de conception simplifiés


Alors qu’Intel renforce son engagement dans la fabrication de semi-conducteurs et vise une plus grande visibilité grâce à ses technologies émergentes, notamment la 14A, les solutions d’encapsulation avancées telles que l’EMIB joueront un rôle crucial. Les améliorations apportées à des technologies comme la variante « T » et l’encapsulation Foveros ont suscité un vif intérêt, intensifiant la concurrence dans un secteur traditionnellement dominé par TSMC. Le succès de la technologie 14A pourrait marquer le début d’une nouvelle ère pour la production de puces avancées aux États-Unis.
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