Le processus Intel 18A atteint une densité SRAM comparable à celle de TSMC N2 ; Team Blue se prépare à un retour remarquable

Des rapports récents indiquent que le processus 18A d’Intel a atteint des niveaux de densité SRAM comparables à la technologie N2 de TSMC, une étape importante soulignant les capacités avancées d’Intel en matière de semi-conducteurs.

L’importance du processus 18A d’Intel et des innovations telles que BSPDN

L’évolution de l’architecture des puces d’Intel suscite un sentiment d’optimisme croissant quant à l’avenir de l’entreprise. Les discussions récentes à l’International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) révèlent qu’Intel et TSMC sont très proches en termes de densité SRAM, avec des avancées notables qui pourraient remodeler le paysage concurrentiel de la fabrication de semi-conducteurs.

J’ai assisté à la session 29 de @ieee_isscc : SRAM

1er article : $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2e article : $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3e article : @Mediatek 3nm TCAM 4e article : @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

C’est une bataille royale.

— 𝐷𝑟.𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 19 février 2025

Alors que nous étudions de plus près les possibilités offertes par le procédé 18A, il est essentiel de souligner l’une de ses innovations révolutionnaires : le réseau de distribution d’énergie arrière (BSPDN).Cette technologie pionnière déplace la distribution d’énergie de l’avant vers l’arrière de la plaquette, ce qui se traduit par une efficacité énergétique accrue et une meilleure intégrité du signal, deux facteurs cruciaux pour les performances des semi-conducteurs modernes.

Selon certaines informations, Intel aurait attiré TSMC — Un employé de l’usine Intel tient une plaquette dotée de la technologie Foveros empilée en 3D dans une usine de fabrication Intel à Hillsboro, dans l’Oregon (décembre 2023).En février 2024, Intel a dévoilé Intel Foundry, se positionnant comme la première fonderie de systèmes au monde adaptée à l’ère de l’IA, mettant l’accent sur le leadership technologique, la résilience et la durabilité.(Crédit : Intel Corporation)

Les versions haute densité du processeur Intel 18A sont censées atteindre une densité de bits macro impressionnante de 38, 1 Mo/mm² dans les configurations de grande taille. Bien que les variations dans la disposition des cellules SRAM puissent influencer les résultats de densité, les perspectives du processus 18A semblent très positives. Cependant, il est essentiel de surveiller les performances réelles de production des puces, en particulier les taux de rendement, pour évaluer pleinement l’efficacité de cette nouvelle technologie.

Parallèlement, TSMC a également fait des progrès dans son procédé N2, avec une augmentation de 12 % de la densité de la SRAM grâce à sa transition vers la technologie Gate-All-Around (GAA).Les améliorations apportées à la SRAM haute performance présentent une augmentation remarquable de 18 % de la densité. La clé de cette amélioration réside dans le passage du FinFET traditionnel aux structures « nano-feuilles » N2, permettant une plus grande personnalisation et une plus grande précision dans le processus de fabrication.

La course à la concurrence entre TSMC et Intel s’intensifie, ce qui promet un environnement encore plus intense en matière d’innovation dans le domaine des semi-conducteurs. Cependant, le test ultime de ces avancées réside dans leur intégration dans la chaîne d’approvisionnement et dans leurs performances réelles sur le marché.

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