SK hynix a dévoilé une feuille de route technologique ambitieuse qui s’étend au-delà de 2029, présentant des avancées dans les technologies HBM5, GDDR7-next, DDR6 et des solutions NAND 4D de couche 4 révolutionnaires de plus de 400 couches.
Feuille de route de SK hynix pour la DRAM et la NAND de nouvelle génération : principaux développements pour 2029-2031
Aperçu du We AI Summit 2025 – Feuille de route pour la DRAM et la NAND (2026-2028)
D’ici 2026-2028, Hynix s’apprête à lancer la mémoire HBM4 (16 cœurs) et la HBM4E (8, 12 et 16 cœurs), ainsi qu’une solution HBM sur mesure. Cette initiative vise à améliorer significativement les performances de la mémoire.
Cette solution HBM personnalisée et innovante réaffecte le contrôleur HBM à la puce de base, optimisant ainsi l’intégration de divers composants IP tels que les protocoles. Cette initiative stratégique permet aux fabricants de GPU et d’ASIC d’augmenter la surface de silicium disponible pour le calcul. De plus, cette conception personnalisée devrait réduire la consommation d’énergie des interfaces, améliorant ainsi l’efficacité. En collaboration avec TSMC, hynix progresse vers cette solution HBM de nouvelle génération.
Développements et orientations futures de la mémoire NAND
Du côté de la mémoire NAND, We hynix introduit des solutions standard telles que le SSD externe PCIe Gen5, offrant des capacités dépassant 245 To grâce à la technologie QLC, ainsi que les SSD externes/cSSD PCIe Gen6, UFS 5.0 et les solutions NAND « AI-N » améliorées par l’IA.
Perspectives d’avenir pour les technologies graphiques et de mémoire
La future norme GDDR7-next révèle un retard de développement pour les cartes graphiques dédiées. Son déploiement initial sera limité à 30-32 Gbit/s, avec un maximum de 48 Gbit/s. Compte tenu du potentiel de cette norme, son utilisation généralisée à pleine capacité ne devrait pas se concrétiser avant 2027-2028.
De plus, l’introduction prévue de la DDR6 entre 2029 et 2031 suggère que les utilisateurs d’ordinateurs de bureau et portables classiques ne doivent pas s’attendre à des améliorations au-delà de la DDR5 avant plusieurs années.
La mémoire Flash à large bande passante est prête à répondre aux nouveaux besoins en matière d’inférence IA pour la prochaine génération de technologies informatiques personnelles, et il sera intéressant d’observer ses applications pratiques et son efficacité dans des scénarios réels.
Gamme complète de mémoires IA
– Les solutions de mémoire actuelles privilégient le calcul, mais l’avenir s’oriente vers une diversification du rôle de la mémoire afin d’améliorer l’utilisation des ressources de calcul et de résoudre les goulots d’étranglement de l’inférence IA.
– Le marché de l’IA étant orienté vers l’efficacité et l’optimisation, l’évolution de la mémoire HBM vers des produits personnalisés permettra de répondre aux besoins spécifiques des clients, maximisant ainsi les performances des GPU et des ASIC tout en réduisant la consommation d’énergie liée au transfert de données.
Le développement de la mémoire DRAM « AI-D » témoigne d’un engagement à améliorer à la fois la compatibilité et les performances. Cela inclut :
- « AI-D O (Optimisation) » – Une DRAM basse consommation et haute performance visant à réduire les coûts totaux de possession et à améliorer l’efficacité opérationnelle.
- « AI-D B (Breakthrough) » – Une solution offrant une mémoire à très haute capacité avec des capacités d’allocation polyvalentes.
- « AI-D E (Expansion) » – Extension des applications DRAM aux secteurs de la robotique, de la mobilité et de l’automatisation industrielle.
Bien que ces innovations ne soient pas attendues avant quelques années, les progrès imminents promettent de révolutionner le paysage technologique, justifiant ainsi l’attente.
Source de l’information : Harukaze5719
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