TSMC presenta un proceso de 2 nm de alta gama con importantes mejoras de rendimiento y eficiencia

TSMC ha anunciado nuevas y emocionantes actualizaciones con respecto a su innovadora tecnología “2nm N2”, que muestra avances significativos tanto en tasas de rendimiento como en métricas de rendimiento.

Rendimiento transformador de la tecnología “Nanosheet N2” de TSMC

La expectación en torno al proceso de 2 nm de TSMC sigue creciendo, ya que este nuevo nodo está preparado para ofrecer mejoras notables en el rendimiento y la eficiencia energética. Con una producción en masa prevista para el segundo semestre de 2025, los recientes descubrimientos revelados durante la presentación de TSMC en la reunión internacional de dispositivos electrónicos (IEDM) del IEEE en San Francisco arrojaron luz sobre cómo se compara el proceso de 2 nm con sus predecesores. El foco de atención se centró firmemente en la tecnología de vanguardia de las «nanoláminas».

Descripción general de la tecnología de TSMC — Créditos de la imagen: TSMC

TSMC ha informado de que su proceso de 2 nm ofrece una impresionante mejora del 15 % en el rendimiento, al tiempo que reduce el consumo de energía hasta en un 30 %. Estos avances mejoran significativamente la eficiencia general del nodo. Además, el proceso muestra un aumento de 1,15 veces en la densidad de transistores, un hito atribuido a la incorporación de transistores de nanoláminas de compuerta integral (GAA) y a la arquitectura N2 NanoFlex, que optimiza el espacio para varias celdas lógicas.

La transición de la tecnología FinFET convencional a la arquitectura especializada de “nanoláminas” N2 ha otorgado a TSMC un mayor control sobre el flujo de corriente. Este cambio permite a los fabricantes adaptar los parámetros operativos a casos de uso específicos, gracias al intrincado diseño de las nanoláminas, que consisten en estrechas cintas de silicio apiladas, cada una completamente rodeada por una compuerta. Este diseño permite un control de corriente mucho más preciso en relación con las implementaciones FinFET.

Características de la tecnología TSMC — Créditos de la imagen: TSMC

En comparación con el proceso de 3 nm y sus variantes, la tecnología N2 de TSMC muestra mejoras notables en la capacidad. Se espera que este progreso sustancial atraiga a los principales actores de la industria como Apple y NVIDIA, ansiosos por aprovechar las ventajas generacionales que ofrece este proceso innovador. Sin embargo, la introducción de estas mejoras también conducirá a un aumento significativo en los costos de las obleas, que se estima que aumentarán en más del 10 % en comparación con la tecnología de 3 nm.

Según se informa, el costo de una oblea de N2 podría oscilar entre 25.000 y 30.000 dólares, lo que refleja las estrategias de precios de TSMC, lo que supone un aumento notable respecto de los aproximadamente 20.000 dólares que cuestan las obleas de 3 nm. Además, teniendo en cuenta las tasas de rendimiento iniciales y las primeras pruebas de producción, es probable que la producción total sea bastante limitada al principio, lo que sugiere una adopción gradual de este proceso avanzado.

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