Synopsys lanza ‘Silicon Bring-Up’ de IP LPDDR6 en el nodo N2P avanzado de TSMC, logrando un ancho de banda excepcional de 86 GB/s

Synopsys ha logrado un avance significativo en la tecnología de memoria móvil al anunciar la exitosa introducción en silicio de su propiedad intelectual (IP) LPDDR6 basada en el nodo de proceso N2P de vanguardia de TSMC.

Impresionantes logros en ancho de banda con la tecnología N2P

Para quienes no estén familiarizados, la puesta en marcha del silicio representa la fase inicial de encendido de un nuevo chip, especialmente relevante en el contexto de un bloque IP. Este proceso esencial implica una serie de pruebas que abarcan la validación del hardware, la secuenciación de energía y otras comprobaciones críticas. El reciente progreso de Synopsys destaca su capacidad para desarrollar un bloque IP LPDDR6 licenciable que puede alcanzar anchos de banda extraordinarios de hasta 86 GB/s, en estrecha conformidad con las especificaciones establecidas por los estándares JEDEC.

Hemos logrado la puesta en marcha de silicio de nuestra IP LPDDR6 en TSMC N2P, ofreciendo hasta 86 GB/s de ancho de banda. Impulse los sistemas móviles, de IA y de borde de próxima generación con eficientes SDRAM LPDDR.

— Synopsys (@Synopsys) 16 de octubre de 2025

Este desarrollo marca una de las primeras integraciones del avanzado proceso N2P de TSMC con un bloque IP LPDDR6. La arquitectura de este IP consta de dos elementos principales: el controlador y la interfaz PHY. El controlador se encarga de implementar el motor del protocolo JEDEC y de gestionar los controles de temporización y los estados de bajo consumo. Cabe destacar que el proceso N2P de TSMC mejora las capacidades de la PHY, ya que incorpora circuitos analógicos y de E/S avanzados diseñados para optimizar el rendimiento.

Cabe destacar que el controlador LPDDR6 requiere mayor densidad y velocidad para un cierre de temporización eficiente. La tecnología N2P destaca en este aspecto, con impresionantes métricas de área de rendimiento de potencia (PPA).Esto no solo reduce el consumo de energía por bit, sino que también minimiza el espacio físico de la memoria, lo que facilita su aplicación en la IA integrada en el dispositivo y otras plataformas de bajo consumo.

Micron DDR5 MRDIMM con etiquetas de factor de forma 1U de 256 GB 8800 MT/s y 128 GB 8800 MT/s mostrados sobre un fondo LPDDR6.

Al profundizar en las métricas de rendimiento, Synopsys revela que la pila admite un notable ancho de banda de 86 GB/s, en línea con el estándar por pin de JEDEC de aproximadamente 10, 667 Gb/s. La velocidad máxima teórica podría alcanzar unos 14, 4 GB/s por pin, lo que equivale a un impresionante ancho de banda total de 115 GB/s. Esto indica que LPDDR6 representa un importante salto generacional respecto a LPDDR5, impulsado por las innovadoras mejoras de la tecnología N2P de TSMC. De cara al futuro, LPDDR6 se perfila para convertirse en una solución generalizada el próximo año, prometiendo redefinir los estándares de la industria para la memoria móvil.

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