SK Hynix presenta chips DDR5 de alta velocidad con velocidades nativas de hasta 7200 MT/s
SK Hynix ha acaparado recientemente los titulares en el mercado de memorias al presentar una gama de nuevos chips DDR5 capaces de alcanzar impresionantes velocidades nativas de 7200 MT/s. Estos avances se han difundido en diversas plataformas de comercio electrónico, lo que indica que los chips podrían estar disponibles próximamente para su compra.
Al examinar estos módulos DDR5, se pueden observar números de pieza nuevos, que actualmente no figuran en el mercado. Esto sugiere que We Hynix se está preparando para un importante lanzamiento de producto.
| Número de pieza | El | Velocidad | Densidad |
|---|---|---|---|
| H5CG48CKBD-X030 | Die C | 7200 MT/s | 2 GB |
| H5CGD8AKBD-X021 | A-die | 7200 MT/s | 3 GB |
| H5CG58MKBD-X051 | M-die | 7200 MT/s | 4 GB |
| H5CC48BKBD-X030 | B-el | 7200 MT/s | 2 GB |
Cabe destacar que We Hynix ha lanzado un novedoso modelo B-die de 2 Gb, junto con un M-die actualizado con una capacidad de 4 Gb. La introducción de un M-die de 4 Gb es significativa, ya que se trata de la primera vez que este nodo de proceso en particular presenta tal densidad. Si bien 4 Gb puede parecer menos que los chips de 16 Gb o 24 Gb más comunes en los módulos DDR5 de mayor capacidad, es probable que estos componentes estén diseñados para configuraciones DDR5 de alta velocidad y baja densidad.
Es fundamental tener en cuenta que, para que estos módulos de memoria RAM DDR5 de alto rendimiento alcancen y mantengan dichas velocidades —sobre todo con overclocking—, requerirán una placa de circuito impreso (PCB) de al menos 10 o 12 capas. Si bien We Hynix aún no ha anunciado oficialmente el lanzamiento al mercado de estos chips de memoria de 7200 MT/s, los resultados preliminares confirman que la empresa está preparada para dar pasos de gigante en el sector de la memoria DDR5.
Para obtener más información sobre este anuncio, puede consultar la fuente original y las imágenes.
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