SK Hynix presenta chips de memoria DDR5 «A-Die» de 3 GB de segunda generación con bin AKBD que indica una velocidad nativa de 7200 MT/s

Se descubre en Facebook una memoria A-Die de 3 GB de segunda generación; podría alcanzar una velocidad JEDEC nativa de 7200 MT/s

Un descubrimiento reciente en Facebook ha revelado la segunda generación de chips de memoria A-Die de 3 GB, identificados con la etiqueta X021 y el código de pieza «AKBD».Según información compartida por @unikoshardware, esta nueva designación indica la sucesión de la variante M-Die de 3 GB existente, que ha sido fundamental en los primeros módulos de memoria DDR5.

SK Hynix emplea una convención de nomenclatura sistemática, donde combinaciones como EB, GB y HB se correlacionan con velocidades JEDEC de 4800, 5600 y 6400 MT/s, respectivamente. Siguiendo esta lógica, la introducción de la designación «KB» sugiere una velocidad prevista de 7200 MT/s para la próxima memoria, lo que destaca los avances en la tecnología DDR5.

Chip de memoria SK Hynix H5CG08KBD colocado sobre un teclado. — Crédito de la imagen: Facebook

Este desarrollo se ajusta a la hoja de ruta estratégica de Intel, ya que tanto los procesadores Arrow Lake Refresh como Panther Lake están programados para soportar velocidades DDR5 de hasta 7200 MT/s, lo que supone una mejora notable con respecto a los estándares DDR5-5600 de Raptor Lake y DDR5-6400 de Arrow Lake. Esto apunta a que los chips A-Die podrían convertirse en la columna vertebral de los kits de memoria de alto rendimiento diseñados para las CPU Intel de próxima generación.

Sin embargo, un usuario planteó un punto crucial sobre la construcción del módulo. El supuesto diseño de la PCB de 8 capas podría afectar la estabilidad al operar a velocidades de memoria elevadas. Si bien estas muestras iniciales de We Hynix muestran los nuevos circuitos integrados A-Die, las PCB de 8 capas suelen tener dificultades para mantener la estabilidad por encima de 8000 MT/s, principalmente debido a limitaciones en la integridad de la señal y el suministro de potencia.

Por el contrario, los kits de RAM DDR5 de mayor rendimiento suelen utilizar PCB de 10 o incluso 12 capas, que proporcionan rutas de señal más claras, esenciales para alcanzar mayores velocidades de memoria. Los entusiastas ya han demostrado la capacidad de superar el umbral de 12 000 MT/s, y algunos incluso han superado oficialmente los 13 000 MT/s recientemente. Para que los nuevos chips A-Die «AKBD» de We Hynix alcancen su máximo potencial, los fabricantes podrían necesitar implementar estas tecnologías avanzadas de PCB.

Especificación	Detalles
Tipo de matriz	SK Hynix 3Gb A-Die (2.ª generación)
Calificación	X021
Código de pieza	AKBD
Velocidad nativa (especulada)	7200 TM/s (JEDEC)
Compatibilidad de plataformas	Renovación del lago Arrow, lago Panther