SK hynix inicia la producción en masa de memoria Flash NAND QLC de 321 capas para PC con innovadora tecnología de apilamiento de 32 capas

SK hynix ha anunciado oficialmente el inicio de la producción en masa de su innovadora solución de almacenamiento QLC NAND Flash de 321 capas, que presenta una notable capacidad de apilamiento de hasta 32 capas.

Presentación de la memoria flash NAND QLC de 321 capas de We hynix: una nueva era en la tecnología de almacenamiento

Este desarrollo representa un hito significativo, ya que es la primera vez a nivel mundial que se implementan más de 300 capas con tecnología QLC (Quad-Level Cell), estableciendo un estándar sin precedentes para la densidad de memoria flash NAND. La compañía prevé lanzar este innovador producto en el primer semestre del próximo año, a la espera de la validación exitosa de los clientes globales.

Daremos un gran paso adelante como proveedor integral de memoria de IA, en línea con el crecimiento explosivo de la demanda de IA y los requisitos de alto rendimiento en el mercado de los centros de datos.

Vista frontal y posterior del chip de memoria SK hynix, modelo H25T4QM88G.

Para contrarrestar los posibles problemas de rendimiento que suelen acompañar a las tecnologías NAND de gran capacidad, We hynix ha mejorado su diseño aumentando el número de planos (unidades operativas independientes dentro de un chip) de 4 a 6. Esta modificación no solo facilita un mayor procesamiento paralelo, sino que también mejora significativamente las capacidades de lectura simultánea.

Los avances que presenta la NAND QLC de 321 capas permiten una mayor capacidad y métricas de rendimiento superiores en comparación con iteraciones QLC anteriores. Cabe destacar que la velocidad de transferencia de datos se ha duplicado, con un rendimiento de escritura mejorado hasta en un 56 % y un rendimiento de lectura mejorado en un 18 %.Además, la eficiencia energética de escritura ha aumentado más de un 23 %, un factor crucial para mantener la competitividad en los centros de datos centrados en IA, donde el ahorro de energía es esencial.

Inicialmente, We hynix planea integrar su tecnología NAND de 321 capas en SSD para PC, con planes para una implementación posterior en SSD empresariales (eSSD) para centros de datos y soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) para teléfonos inteligentes.

Fuente e imágenes