SK hynix revolucionará la velocidad de procesamiento de datos apilando hasta 16 capas de chips DRAM y NAND, mediante una innovadora tecnología conocida como VFO (Vertical Wire Fan-out).Este avance es crucial para mejorar el rendimiento de diversos dispositivos electrónicos.
El VFO mejora la eficiencia de la transmisión de datos
Según informa ETNews, el éxito del almacenamiento de alto ancho de banda (HBS) depende en gran medida del método de empaquetado VFO. Presentada en 2023 por We hynix, esta tecnología conecta las pilas de chips DRAM y NAND en una configuración recta, en lugar de utilizar la conexión mediante cables curvos convencionales. Esta configuración minimiza las pérdidas de transmisión de datos y mejora la eficiencia de la transferencia de datos, lo cual resulta especialmente relevante a medida que la IA generativa se vuelve más común en teléfonos inteligentes y tabletas.
Las ventajas de VFO son notables. Al reducir significativamente las distancias de cableado y minimizar la pérdida y la latencia en la transmisión de la señal, VFO facilita un mayor número de conexiones de E/S. Esta combinación de mejoras conlleva un aumento considerable en el rendimiento del procesamiento de datos. HBS está diseñado para funcionar a la perfección con los chipsets de los smartphones, que se integrarán en la placa lógica del dispositivo. Si bien aún se desconocen muchos detalles sobre los sistemas en chip (SoC) compatibles, se prevé que el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro sea compatible con las tecnologías LPDDR6 y UFS 5.0, lo que lo convierte en un firme candidato para HBS.
Implicaciones de costes del almacenamiento de gran ancho de banda para los fabricantes
Una de las ventajas más significativas de HBS es su menor coste de fabricación en comparación con la memoria de alto ancho de banda (HBM).A diferencia de HBM, que requiere la tecnología de interconexión vertical a través del silicio (TSV), la cual implica la perforación física del chip, HBS evita esta necesidad. En consecuencia, esto se traduce en un mayor rendimiento de producción y menores costes generales, lo que probablemente resulte atractivo para los fabricantes que buscan implementar esta solución de almacenamiento.
En cambio, según se informa, Apple planea utilizar HBM y TSV en sus próximos dispositivos, con el objetivo de habilitar funcionalidades de IA más robustas directamente en el iPhone. En este contexto, no sorprende que Apple ya esté investigando HBS como una posible opción de almacenamiento para futuros modelos.
Para obtener más detalles, consulte el informe de ETNews.
Para obtener más información e imágenes, consulte la fuente de Wccftech.
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