SK Hynix avanza en la tecnología DRAM 1c con seis capas EUV, posicionándose frente a Samsung en innovaciones EUV de alta NA.

SK Hynix avanza en la tecnología DRAM 1c con seis capas EUV, posicionándose frente a Samsung en innovaciones EUV de alta NA.

SK hynix está en los titulares con sus ambiciosos planes para lanzar la tecnología DRAM 1c. Este innovador enfoque elevará los estándares de rendimiento de los productos DDR5 y HBM, posicionando a la compañía como líder en el mercado de chipsets de memoria.

SK Hynix aprovecha EUV para tecnologías DRAM de próxima generación para aumentar el rendimiento y la productividad

Se prevé que esta iniciativa estratégica mejore significativamente la oferta de We hynix en los sectores de memoria de consumo y HBM. Más importante aún, allana el camino para avances en tecnologías DRAM de próxima generación, que probablemente incorporarán métodos EUV de alta NA.

Para quienes no estén familiarizados con la litografía ultravioleta extrema (EUV), es importante tener en cuenta que esta técnica implica procesos complejos. Al operar a una longitud de onda de 13, 5 nm con precisión, la EUV busca abordar los desafíos de los circuitos complejos, permitiendo la creación de características más finas y minimizando la necesidad de múltiples pasos de modelado.

Los precios de DRAM y NAND registran una caída de casi el 20%, principalmente debido a la disminución de la demanda de los consumidores.

La prevista introducción de DRAM 1c, particularmente con su integración en HBM4, promete marcar el comienzo de mejoras significativas en el rendimiento en el futuro cercano.

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