SK Hynix alcanza tasas de rendimiento de hasta el 80 % con tecnología DRAM de 1 c, allanando el camino para la producción en volumen.

SK Hynix alcanza tasas de rendimiento de hasta el 80 % con tecnología DRAM de 1 c, allanando el camino para la producción en volumen.

SK hynix ha sido noticia recientemente al lograr tasas de rendimiento impresionantes con sus módulos DRAM 1c, consolidando su estatus como potencia dentro del sector de la tecnología de memoria.

SK Hynix recupera su posición como líder en el mercado de DRAM con avances en la tecnología DRAM 1c

Este avance es particularmente significativo a medida que la industria centra su atención en el desarrollo de módulos de memoria de alto ancho de banda 4 (HBM4), que se prevé que marquen el comienzo de una nueva era de capacidad computacional. Se espera que esta tecnología mejorada mejore la velocidad y la eficiencia de procesamiento en diversas aplicaciones.

Actualmente, la DRAM de sexta generación de 10 nm de We hynix ha alcanzado una impresionante tasa de rendimiento que oscila entre el 80 % y el 90 %.Esto supone un salto sustancial respecto a la tasa de rendimiento del 60 % registrada previamente en el segundo semestre de 2024. Si bien el enfoque principal de la compañía sigue siendo aumentar la producción de HBM4, es posible que la introducción de soluciones de memoria DDR5 basadas en 1c en el mercado no se produzca en un futuro próximo. Sin embargo, los consumidores pueden esperar ver la tecnología DRAM avanzada implementada en HBM4, en particular la esperada versión HBM4E, que promete mejoras de rendimiento aún mayores.

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Mientras tanto, su rival Samsung ha estado desarrollando sus propios módulos DRAM 1c; sin embargo, la compañía enfrenta desafíos para alcanzar tasas de rendimiento competitivas. Los informes indican que están reevaluando sus estrategias para mejorar el rendimiento de sus ofertas de DRAM 1c. Por el contrario, We hynix lidera el mercado y se prevé que se convierta en el primer fabricante en iniciar la producción en masa de la tecnología HBM4, ampliando la brecha competitiva en este dinámico mercado.

De cara al futuro, los rápidos avances en la tecnología DRAM, especialmente con We hynix a la vanguardia, señalan un período de transformación en la informática. Las implicaciones para las aplicaciones informáticas de alto rendimiento y los centros de datos son enormes, con posibles mejoras en velocidad, eficiencia y consumo energético en el horizonte.

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