Se espera que la arquitectura SBS del Samsung Exynos 2700 supere a Snapdragon y aumente el ancho de banda de la memoria entre un 30 y un 40 %.

Se espera que la arquitectura SBS del Samsung Exynos 2700 supere a Snapdragon y aumente el ancho de banda de la memoria entre un 30 y un 40 %.

Samsung ha logrado avances significativos con la introducción de un innovador disipador de calor en el chip Exynos 2600, mejorando su estabilidad térmica. Sin embargo, el gigante tecnológico está listo para dar un nuevo salto con el próximo chip Exynos 2700. Esta nueva versión utilizará una arquitectura de vanguardia de tipo side-by-side (SBS), junto con un diseño avanzado de disipador de calor, para lograr una notable mejora en el ancho de banda de la memoria y el rendimiento general.

Chip Exynos 2700 de Samsung: Arquitectura SBS e innovación en el disipador de calor.

El chip Exynos 2700 aprovechará el proceso SF2P de próxima generación de Samsung, que se basa en la tecnología de 2 nm Gate-All-Around (GAA) empleada anteriormente en el Exynos 2600. Para contextualizar, la tecnología GAA presenta un diseño de transistor 3D donde la puerta rodea el canal —compuesto por nanohojas apiladas verticalmente— por todos los lados. Esta configuración mejora el control electrostático y reduce los requisitos de voltaje. Como resultado, se prevé que el próximo proceso SF2P ofrezca una mejora del 12 % en el rendimiento y una reducción del 25 % en el consumo de energía en comparación con las generaciones anteriores.

Sin embargo, la transformación más significativa del chip Exynos 2700 reside en su arquitectura. El Exynos 2600 emplea un diseño tradicional tipo sándwich, con la memoria RAM apilada sobre el sistema en chip (SoC) y un disipador de calor a base de cobre, conocido como Bloque de Disipación de Calor (HPB), situado encima de la RAM. Si bien esta configuración ofrece una eficiencia térmica aceptable, atrapa el calor entre el SoC y la RAM, lo que podría afectar al rendimiento.

En contraste, el Exynos 2700 utilizará la tecnología Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), lo que permite colocar la RAM junto al SoC a nivel de oblea. Esta integración presenta varias ventajas. Principalmente, se prevé que las interconexiones más cortas aumenten el ancho de banda de la memoria entre un 30 % y un 40 %, a la vez que mejoran la eficiencia energética. Además, el disipador de calor HPB cubrirá eficazmente tanto el SoC como la RAM, mejorando significativamente la estabilidad térmica del chip.

Actualmente, el chip Exynos 2600 ha demostrado una estabilidad térmica superior a la del Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm. Con los próximos avances del Exynos 2700, se espera que Samsung refuerce aún más esta ventaja competitiva, sentando las bases para un rendimiento revolucionario en la tecnología móvil.

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