Samsung presenta la tecnología ‘Heat Pass Block’ en Exynos 2600 para una mejor transferencia térmica, prevención del sobrecalentamiento y mayor eficiencia.

El próximo Exynos 2600, actualmente en fase de producción de prototipos, marcará un avance significativo en rendimiento y eficiencia para el sistema en chip (SoC) insignia de Samsung. Mediante un innovador proceso Gate-All-Around (GAA) de 2 nm, el Exynos 2600 busca mejorar las capacidades de procesamiento. Sin embargo, versiones anteriores de la serie Exynos presentaban dificultades con la gestión térmica, experimentando a menudo problemas de sobrecalentamiento a pesar de incorporar la tecnología de cámara de vapor en los smartphones. Para contrarrestar este problema, Samsung planea integrar una solución innovadora, conocida como «Heat Pass Block» (HPB), para optimizar la disipación de calor y garantizar así que el SoC mantenga un rendimiento óptimo.

Cómo HPB mejora la regulación térmica del Exynos 2600

Tradicionalmente, los chipsets Exynos de Samsung incorporaban la DRAM directamente sobre el SoC. Informes recientes de ETNews indican que el diseño del Exynos 2600 evolucionará, colocando la HPB y la DRAM directamente en el propio chip. Esta ubicación estratégica permite que la HPB funcione eficazmente como disipador térmico, mejorando significativamente la transferencia de calor. Además, se espera que Samsung adopte el empaquetado a nivel de oblea (FOWLP) en esta nueva arquitectura, que se estrenó inicialmente con el Exynos 2400. Se prevé que esta mejora aumente la resistencia térmica y el rendimiento del procesamiento multinúcleo.

Como medida proactiva frente a competidores como el Snapdragon 8 Elite Gen 2 y el Dimensity 9500, Samsung busca garantizar la competitividad del Exynos 2600. Una filtración reciente de Geekbench 6 reveló que el Exynos 2600 tendrá una frecuencia de reloj máxima de 3, 55 GHz, actualmente por detrás del Cortex-X925 del Dimensity 9400+.

Se espera que la integración dual de HPB y FOWLP permita al Exynos 2600 alcanzar frecuencias operativas más altas. Esto es crucial para mejorar el rendimiento tanto de núcleo único como de múltiples núcleos, a la vez que se gestionan eficazmente las temperaturas. Como sabemos, el calor excesivo puede degradar el rendimiento, lo que no solo genera incomodidad para los usuarios, sino también una posible sobrecarga de la batería y problemas de seguridad, incluyendo el riesgo de fallo de la misma.

Si el proceso GAA de 2 nm de Samsung alcanza tasas de rendimiento favorables, podríamos ver la presentación oficial del Exynos 2600 a finales de año. Este momento coincidiría perfectamente con el esperado anuncio de la familia Galaxy S26, previsto para principios de 2026.

Para obtener más detalles, consulte el informe original de ETNews.

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