Samsung HBM4E promete un impresionante ancho de banda de 3,25 TB/s; casi 2,5 veces más rápido que HBM3E, lo que eleva el rendimiento de la computación de IA.

En la reciente Cumbre Global del Open Compute Project (OCP), Samsung se posicionó como líder en el sector de la fabricación de memoria al presentar importantes avances en memoria de alto ancho de banda (HBM), específicamente en su próxima tecnología HBM4E. Esta nueva generación de memoria promete ofrecer mejoras notables con respecto a sus predecesoras.

HBM4E de Samsung: un salto en la tecnología de memoria con una velocidad inigualable

Samsung ha estado desarrollando activamente su oferta de HBM, y recientemente ha cerrado contratos clave con importantes empresas como NVIDIA y AMD. En el evento OCP, la compañía destacó el futuro de su serie HBM, destacando las impresionantes especificaciones tanto de HBM4 como de la nueva generación de HBM4E. Cabe destacar que HBM4E alcanzará velocidades de pin de 13 Gbps por pila, lo que se traduce en un impresionante ancho de banda de 3, 25 TB/s, lo que representa una mejora sustancial en las métricas de rendimiento.

Las memorias Samsung HBM4 y HBM4E se exhibieron en una presentación, destacando especificaciones como densidad por porción y cambio de proceso lógico. — Detalles del Samsung HBM4E | Créditos de la imagen: Sedaily

Además, el módulo HBM4E presume de una eficiencia energética impresionante, alcanzando, según se informa, casi el doble de eficiencia que el HBM3E existente. El proceso HBM4 de Samsung también ha establecido nuevos estándares, alcanzando una velocidad de pin de 11 Gbps, superando los estándares establecidos por organizaciones como JEDEC. Este avance se alinea con la demanda de NVIDIA de soluciones HBM4 mejoradas para optimizar el rendimiento de su arquitectura Rubin, y según medios locales, Samsung ha sido pionero en este avance.

Samsung Electronics, tras haber quedado rezagado respecto a sus competidores en el sector HBM3E, ha buscado intensamente capacidades de mayor ancho de banda desde el inicio del desarrollo de HBM4. A medida que su competencia de velocidad en HBM4 se acerca al éxito, la estrategia de la compañía es mantener el impulso para avanzar hacia la siguiente generación.- Sedaily

Además de las mejoras de rendimiento, Samsung también se centra en establecer una estructura de precios competitiva para los suministros de HBM4 a empresas como NVIDIA. Dado que la tecnología avanzada de semiconductores (4 nm) es un componente integral de HBM4, las capacidades de fundición interna de Samsung permiten un mejor control del margen de beneficio en la producción de estos módulos.

En cuanto a la introducción al mercado del HBM4E, se proyecta que debute a principios de 2026, coincidiendo con el cronograma de producción en masa de la tecnología HBM4.

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